加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，该公司2021年12月份的SuperGaN® Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实了该公司之前宣称的大规模量产合格封装器件的实力，同时其市场份额正在不断增长。这也意味着该公司2021日历年度下半年出货量是2021日历年度上半年的3倍以上。值得一提的是，这也突显了Transphorm持续的生态系统扩张，出货的FET将用于亚太区新老客户生产的45W至300W电源适配器和快速充电器应用。
Transphorm用于紧凑型功率转换应用的SuperGaN产品系列目前包括三款650V器件：480 mΩ FET、300 mΩ FET以及150 mΩ FET。这些器件采用标准的PQFN 5x6和8x8封装，并可在150°C下满足JEDEC认证标准。
与竞品GaN半导体（即e-mode和IC GaN）相比，SuperGaN器件的主要优势包括：
- 更小的裸片尺寸，更优越的性能：数据显示，与低通阻器件相比，SuperGaN平台可提供更高的效率。
- 易于设计和驱动：SuperGaN平台的专利架构包括一个具有通用接口的集成硅FET，不需要过多的外围电路。这个接口允许使用流行的、现成的带有集成驱动的控制器；能满足高效电源适配器拓扑的要求，如QRF（准谐振反激模式）和ACF（有源钳位反激模式）。
- 一流的质量+可靠性：基于超过300亿小时的运行，实用中的Transphorm器件FIT（失效率）小于0.3；这意味着从统计上来看，在超过10亿小时的运行时间内，失效次数少于0.3次。
Transphorm总裁兼联合创始人Primit Parikh表示：“我们很高兴能与我们的供应商和客户合作，实现每月100万的量产目标。这表明我们在快速增长的快速充电器和电源适配器领域正在赢得不断增长的市场份额，也证明了我们大规模生产高性能、高可靠性GaN器件的实力。Transphorm在低功率和多千瓦高功率应用方面都极具吸引力，突显了我们技术的领先地位。我们的实力，再加上前一季度获得的超过4500万美元的融资，为我们在2022年继续扩张和增长提供了一个强劲的积极势头。”
Transphorm完整的产品组合目前包括各种封装的650V和900V器件。此产品组合的技术优势在很大程度上得益于该公司的垂直整合能力。这种运营模式在GaN半导体行业并不常见，但能助力Transphorm掌控其器件的设计、外延晶片（原始材料）和制造流程。因此，Transphorm目前能够在广泛的电源应用领域（电源适配器、数据中心和游戏PSU、加密货币矿机、汽车变流器、可再生能源逆变器等）满足广泛的功率转换需求（45W至10+ kW）。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，该公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和在微信@Transphorm_GaN上关注我们。
前瞻性陈述
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