加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)-- GaN功率半导体代表下一代电力系统的未来，此领域的领导企业Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）今天宣布，该公司借助专利技术在GaN功率晶体管上演示出高达5微秒的短路耐受时间（SCWT）。这是有记录以来首次实现此类成就，标志着整个行业的一个重要里程碑。它证明了Transphorm GaN有能力满足坚固的功率逆变器所需的短路能力，例如伺服电机、工业电机和传统上由硅IGBT或碳化硅（SiC）MOSFET供电的汽车动力系统等。在未来5年内，GaN TAM将超过30亿美元。
此次演示开发得到Yaskawa Electric Corporation的大力支持。Yaskawa Electric Corporation是Transphorm的长期战略合作伙伴，也是中低电压驱动器、伺服系统、机器控制器和工业机器人领域的全球领导企业。这使得GaN成为伺服系统极具吸引力的功率转换技术，因为与现有解决方案相比，它的效率更高、体积更小。要做到这一点，GaN必须通过严格的稳健性测试，其中短路生存能力是难度最大的一项。出现短路故障时，设备要在高电流和高电压的极端条件下运行。系统可能需要几微秒的时间来检测故障并关闭操作。在此期间，设备必须能够自行承受故障。
Yaskawa企业技术部基础研发管理部经理Motoshige Maeda表示：“如果功率半导体器件无法承受短路事件，系统本身可能失效。业界普遍认为GaN功率晶体管无法满足像我们这样的重载电力应用所需的短路要求。在与Transphorm合作多年后，我们认为这种看法缺乏依据，我们的判断在今天得到证明。我们对该团队取得的成就感到振奋，并期待展示我们的设计能从这种新GaN功能受益的具体方式。”
短路技术已经在新设计的15 mΩ 650 V GaN器件上进行了演示。值得注意的是，该设备在50kHz的硬切换条件下达到99.2%的峰值效率和12kW的最大功率。该装置不仅性能优异，而且可靠性很高，并能满足高温高压应力要求。
Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示：“标准的GaN器件只能承受百分之几纳秒的短路，这对故障检测和安全关闭过短。但凭借级联架构和关键专利技术，我们能够在不使用额外外部组件的情况下实现长达5微秒的短路耐受时间，从而保持了低成本和高性能。我们了解当今对高功率、高性能逆变器系统的需求。我们长期重视创新工作，并能自豪地说，创新经验帮助我们将GaN提升到更高水平。这再一次证明Transphorm在高压GaN稳健性和可靠性方面处于全球领先地位，并会促进电机驱动和其他高功率系统的GaN的变革。“
有关解释SCWT成就的完整描述、演示分析等预计将在明年的大型电力电子会议上发表。
关于 Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN革命的全球领导者。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能和高可靠性GaN半导体。Transphorm拥有最大的功率GaN IP组合之一，并拥有1000多项自有或许可的专利。公司生产出业界首个符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备商业模式允许在以下每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持。Transphorm的创新科技使电力电子产品超越了硅的限制，实现了99%以上的效率、增加了50%的功率密度并减少了20%的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并且在戈利塔和日本的会津设有制造业务。若要了解更多信息，请访问www.transphormusa.com请在推特@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。
关于Yaskawa Electric Corporation
Yaskawa Electric位于日本北九州，是一家专注于运动控制、机器人和系统工程的核心技术领域的世界领先级提供商。Yaskawa Electric成立于1915年，100年来一直为客户提供卓越的体验。该公司专注于机电一体化解决方案，已在全球范围内运送了超过2000万台交流驱动器、1500万台伺服电机和30万台机器人。有关更多信息，请访问www.yaskawa.co.jp。
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