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Toshiba 2019

Toshiba推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对高散热和小尺寸的需求

2023-08-17 22:53
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日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出两款车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。这两款产品采用Toshiba的新型S-TOGL™ (小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装和U-MOS IX-H制程芯片。产品于今日开始量产出货。

本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文: https://www.businesswire.com/news/home/20230816179901/zh-CN/

自动驾驶系统等安全关键(safety-critical)应用通过冗余设计来确保可靠性,因此与标准系统相比,其集成的器件数量更多,需要的贴装空间更大。因此,随着车载设备尺寸的不断缩小,需要能够以高电流密度贴装功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用了Toshiba的新型S-TOGL™封装(7.0mm×8.44mm[1]),利用无接线柱结构将源极连接件和外部引脚一体化。源极引脚采用多针结构,从而降低了封装电阻。

通过将S-TOGL™封装与Toshiba的U-MOS IX-H工艺结合,与Toshiba的TO-220SM (W)封装产品相比,导通电阻大幅下降了11%[2],同时保持了相同的热阻特征。此外与TO-220SM (W)封装相比,新封装需要的贴装面积也减少了大约55%。除此之外,新封装的漏极额定电流为200A,高于类似大小的Toshiba DPAK +封装(6.5mm×9.5mm[1]),从而提供大工作电流。总之,S-TOGL™封装不仅实现了高密度和紧凑的布局,降低了车载设备的大小,同时也有利于实现高散热。

由于车载设备可能在极端温度环境中使用,表面贴装焊点的可靠性是一个需要考虑的关键因素。S-TOGL™封装采用的鸥翼式引脚可降低贴装应力,提高焊点可靠性。

当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,Toshiba支持这两款新品分组出货[3],即按栅极阈值电压对产品分组。这样可以确保设计使用同一组别的产品,从而减少特性偏差。

Toshiba将不断扩展其功率半导体产品的阵容,以对用户更友好的高性能功率器件,促进碳中和目标的实现。

应用

  • 车载设备:变频器、半导体继电器、负载开关、电机驱动器等

特性

  • 新型S-TOGL™ 封装:7.0mm×8.44mm(典型值)
  • 大额定漏极电流:

XPJR6604PB: ID=200A
XPJ1R004PB: ID=160A

  • AEC-Q101认证
  • 可提供IATF 16949/PPAP[4]
  • 低导通电阻:

XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ(典型值)(VGS=10V)
XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ(典型值)(VGS=10V)

注:

[1] 典型封装尺寸,含引脚。
[2] 采用TO-220SM(W)封装的TKR74F04PB。
[3] Toshiba提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V,但是不允许指定特定组别。请联系Toshiba销售代表了解更多详情。
[4] 请联系Toshiba销售代表了解更多详情。

主要规格

 

新产品

当前产品

器件型号

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

极性

N沟道

系列

U-MOS IX-H

封装

名称

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

尺寸(mm)

典型值

7.0×8.44, t=2.3

10.0×13.0, t=3.5

6.5×9.5, t=2.3

绝对最大额定值

漏极-源极电压DSS(V)

40

漏极电流(DC) ID(A)

200

160

250

120

漏极电流(脉冲)IDP(A)

600

480

750

240

沟道温度Tch(°C)

175

电气特性

漏极-源极导通电阻

RDS(ON)(mΩ)

VGS=10V

最大值

0.66

1.0

0.74

1.35

沟道到外壳热阻

Zth(ch-c)(°C/W)

Tc=25°C

最大值

0.4

0.67

0.4

0.83

如需了解关于新产品的更多信息,请点击以下链接。

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

如需了解关于Toshiba车载MOSFET的更多信息,请点击以下链接。
车载MOSFET

* S-TOGL™是Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的商标。
* 其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
* 本文中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息在公告之日有效,但如有变更,恕不另行通知。

关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商,依托半个多世纪的经验与创新优势,为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工,以实现产品价值最大化为己任,与客户紧密合作,共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年销售收入近8000亿日元(61亿美元),立志为全人类创造更加美好的未来。
有关更多信息,请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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Toshiba:采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对高散热和小尺寸的需求。(图示:美国商业资讯)

Toshiba:采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对高散热和小尺寸的需求。(图示:美国商业资讯)

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