专家将在VLSI-TSA上介绍下一代关键技术方面的重大进展

美国商业资讯台湾新竹消息——

2009年4月27-29日，在台湾新竹国宾大饭店举行的国际超大规模集成电路技术、系统暨应用（VLSI-TSA）研讨会上，SEMATECH前端工艺（FEP）项目的专家将介绍在先进逻辑和未来非易失性技术方面的突破性研究成果。论文将报告在诸如下一代高k/金属栅（HKMG）材料、先进闪存、平面和非平面CMOS技术及HKMG缺损计量等领域的进展。

SEMATECH新兴技术副总裁Raj Jammy说：“通过合作研究，我们的目标是开发和描绘可实现缩小（scaling ）逻辑、存储器和新兴技术的前沿新材料和器件结构。SEMATECH的工作一直将创新与实用解决方案相融合，推动行业向前发展。我们很高兴能够将我们的成果与在台湾会集的技术专家们分享，他们对推动半导体行业的未来发展发挥着日益重大的作用。”

星期一（4月27日）

• La-doped Metal/High-K nMOSFET for Sub-32nm HP and LSTP Application – 研究采用掺杂镧的高k金属栅堆叠的nMOSFET的适用性，观察其是否适用于32纳米以下低静态功耗（LSTP）和高性能应用。

• Extending spectroscopic ellipsometry for identification of electrically active defects in Si/SiO 2 /high-k/metal gate stacks – 研究一种新的方法，即使用椭偏光谱法以非侵入的方式识别缩小（scaled ）高k/金属栅堆叠的底部SiO2 界面层的氧空位缺陷。

• Reliability Assessment of Low V t Metal High-k Gate Stacks for High Performance Applications – 介绍可靠性表征技术，以及用于HKMG 使用寿命预测的模型

• Additive Mobility Enhancement and Off-State Current Reduction in SiGe Channel pMOSFETs with Optimized Si Cap and High-k Metal Gate Stacks –介绍高迁移率pMOSFET，它的高质量外延SiGe膜有选择地在Si (100)衬底上生长。

星期三（4月29日）

• Band Engineered Tunnel Oxides for Improved TANOS-type Flash Program/Erase with Good Retention and 100K Cycle Endurance – 首次展示对能带进行工程设计的隧道氧化物与高k/金属栅的集成可改进电荷捕获型闪存器件的程序、擦除和耐久性。

• High Mobility SiGe Shell-Si Core Omega Gate PFETs – 探究Ω栅型pFET的使用，该型pFET的SiGe 壳（高迁移率通道）位于Si 核上。

作为研发与制造之间的一座桥梁，SEMATECH 推动竞争前的合作及协作，加快纳米电子技术和纳米技术的商业化。SEMATECH的FEP 工程师协同各会员公司、大学、国家实验室及供应商合作伙伴，专注于开发新技术，以扩大高k介质、金属栅、高迁移率通道以及先进存储器技术的应用范围。

国际超大规模集成电路技术、系统暨应用（VLSI-TSA）研讨会由国际电气与电子工程师协会（简称IEEE，一个推动技术进步的领先专业协会）与台湾工业技术研究院（ITRI）联合举办。VLSI-TSA是SEMATECH借以与来自公司、大学和其他研究机构的科学家和工程师协作的众多行业论坛之一。

关于SEMATECH：

20年来，作为一家领先半导体制造商的全球性联盟，SEMATECH®（www.sematech.org）设立全球研究方向，实现灵活的协作，在战略性研发与制造之间架起一座桥梁。如今，我们与我们的纳米电子和新兴技术合作伙伴一道，继续加速下一轮技术革命。
 
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联系方式：

SEMATECH
Erica McGill, 518-649-1041
erica.mcgill@sematech.org