采用无卤素封装的新型低、中、高压MOSFET 产品支持绿色电源设计
加州 Sunnyvale, 2009 年3月3日电 - Alpha & Omega Semiconductor, Inc. (AOS)今日宣布推出新的硅和封装技术, 旨在为电源设计者提供绿色的解决方案。这些产品将为AOS 的产品组合添加高性能的低压(30V)、中压(100V) 和高压(650V) MOSFET。新产品专为满足电源高效率、低开关噪音以及绿色环保要求，并适用于数据通信、工业、计算和高端消费者电源产品。
低压
AOS 新组合的AON6200 高边和AON6702低边30V N沟道MOSFET 可实现高效率和低噪音的电源转换。AON6200 是在AOS 专有的分裂闸(SGT) 技术上推出的首个产品，提供领先的Ciss 和Crss 性能以减少开关渡越损耗。AON6702 （最大值2mΩ）低边MOSFET 是AOS 第二代SRFET™ 技术的旗舰产品，以单片的方式将肖特基二极管与MOSFET相集成。通过减少传导和开关损耗，肖特基的低正向压降和低存储电荷、Qrr实现高效率。
将AON6200 和AON6702 配置在一起能够高效率地轻松支持每相25A，并提供低于竞争对手解决方案25% 的振铃。较低的噪音操作提高系统整体的可靠性和性能，同时还减少EMI 排放。两种产品都采用尺寸不到1mm的DFN5x6 封装，并使用绿色的、无卤素的模塑料。
AOS 还扩大其低压P 沟道MOSFET 产品。AON6403采用AOS 第四代(G4) P 沟道技术制造，提供同类产品中最低的导通电阻。其导通电阻最大为3.2mΩ，在电池断开连接或热切换应用中可提供最高效的负载和电源开关。
中压
AOS 发布其专有的SDMOS™ 系列上的头两款100V N 沟道MOSFET。14mΩ的AON6450采用无卤素的DFN5x6 封装，非常适合半桥和全桥的电信电源。15mΩ的AOT412采用无卤素的TO-220封装，在此方面AOS 是率先推出绿色版本的供应商之一。AOT412 经特别设计，在AC-DC 适配器中提供效率比传统二极管解决方案更高的同步整流器解决方案，从而符合新的80+电源标准。AOS 的SDMOS 产品的软二极管性能可减少噪音，简化电源设计者的工作以设计可靠的系统并准时推出他们的产品。
高压
AOS 扩大其高压500V-600V 的MOSFET 产品以包含650V 的选件。AOS 将推出完整的650V 产品系列（从6A到12A）以支持需要更多电压设计余量的AC/DC 应用。通过提供优化组合的低RDS(ON)和Crss，新的MOSFET 可实现高效的电源转换，同时又减少开关损耗。这些产品也以无卤素的TO-220 和 TO-220F 封装提供。
AOS 负责MOSFET 产品的市场总监David Grey 说：“我们的目的是为每个电源构建基块提供高性能的电源技术。这以带有功率因数校正功能的AC 输入开始，通过高功率密度负载点DC-DC 转换器在现代的电子系统的中心达到顶峰。”
AOS 市场营销副总裁Tony Grizelj 补充说：“AOS不断发展的MOSFET 技术组合，是我们开发包括离散式和电源IC产品在内的整体电源解决方案的关键部分。我们最新一代绿色产品和技术的推出肯定了AOS 为客户提供高性能、环保的电源解决方案的承诺。”
价格和供货情况
新产品现已量产供应。下表列出简要的规格和价格。
产品号 封装 VDS RDS(ON) Ciss Crss IDS 单价
(V) (mΩ max) (pF typ) (pF typ) (A) (1,000 件)
AON6200 DFN5x6 30 8.5 1100 31 50 $0.58
AON6702 DFN5x6 30 2.0 5900 560 85 $1.10
AON6403 DFN5x6 -30 3.2 7600 1050 -85 $1.25
AON6450 DFN5x6 100 14.5 2570 80 52 $1.15
AOT412 TO-220 100 15.8 2680 100 60 $0.90
关于AOS
Alpha & Omega Semiconductor, Inc. 是一家开发先进的模拟电源管理解决方案的半导体研发公司。AOS 提供包括电源MOSFET、电源IC 和瞬态电压抑制器在内的广泛产品组合，融入了设备设计、硅和封装技术领域的先进成果。AOS 产品满足了诸如便携式和台式电脑、数码相机、手机和液晶显示面板等的消费者应用对性能和功效不断增长的需求。AOS 在全球设有办事处和销售代表，涵盖美国、欧洲和亚太地区。要了解更多详情，请浏览www.aosmd.com。
传媒查询
Alpha & Omega Semiconductor, Inc.
Clara Chan, 408-789-3233
cchan@aosmd.com
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