该企业依靠突破性技术来设计开发存储级非易失性内存产品，顶级风险投资公司和硬盘驱动器厂商对其投资已增加到6500万美元

美国商业资讯加州森尼维尔消息——

Unity Semiconductor公司是一家为半导体数据存储市场服务的初创企业，从事非易失性存储级内存产品的设计、开发和制造。公司今天宣布，完成了2200万美元的C轮融资。

Unity Semiconductor公司创立于2002年，创始人Darrell Rinerson曾在内存领先企业美光科技有限公司（纳斯达克股票代码：MU）和超威半导体公司（纳斯达克股票代码：AMD）担任高管。Unity Semiconductor公司的目标是，面向特定的市场，使晶片达到最小尺寸，并使每比特制造成本降到最低。Unity Semiconductor公司准备利用多层存储阵列创新架构和一项名为CMOxTM的突破性存储单元技术来实现其产品成本目标。CMOxTM技术的原理是，通过合成某些导电金属氧化物材料来实现离子运动。

2200万美元的C轮融资主要来自于Unity Semiconductor公司的三大风险投资机构August Capital、Lightspeed Venture Partners和Morgenthaler Ventures，以及之前也曾出资的一家大型硬盘驱动器制造商。最新的这一轮融资使Unity Semiconductor公司获得的投资总额达到近7500万美元。

Unity Semiconductor公司董事长、首席执行官兼总裁Rinerson先生说，“最新的这一笔投资显示，我们经验丰富的一流投资团对于我们的专有技术及其开发进度是有信心的。”他说，新筹集的资金将用于完成Unity独有的下一代非易失性内存技术CMOxTM的开发，并把CMOxTM整合到大容量内存生产工艺中去。另外，这笔资金还将用于完成其CMOxTM型存储级内存系列产品的设计。

August Capital公司是最早对Unity公司进行风险投资的投资机构，其合伙人Andy Rappaport说，“NAND闪存是目前半导体行业最大最重要的领域之一。但是，其规模拓展方面的限制已存在多年。Unity公司所开发的技术就好比有神奇力量的圣杯，该技术不仅在各个主要性能指标方面优化NAND闪存，而且可以适应今后工艺水平的不断提升。就我的职业生涯经验来说，能够用这样独特的基础性技术来应对一个规模如此庞大且不断发展的市场，这样的半导体初创企业还是不多见的。”

利用CMOxTM 技术生产的产品，预计其密度是目前的NAND闪存的4倍，写入速度是NAND闪存的5-10倍。Rinerson说，“唯有CMOxTM 的单元尺寸才能打败NAND。”CMOxTM 实现了40年来一直梦想的概念，也就是被动式可擦写交叉点存储技术（passive rewritable cross -point memory technology）和存储阵列的多物理层技术。他补充说，由于CMOxTM应用了“新方法和新材料，这些概念变为了现实，否则是实现不了的。”不采用这些新概念的话，读写交叉点存储单元是无法实现的。

CMOxTM 不仅要在所有重要的高密度/高性能内存市场领域（固态驱动器、独立内存、嵌入式内存）成为NAND闪存的替代技术，而且要成为接续NAND闪存的技术，逐渐拓展到高性能的嵌入式和企业级应用产品之中。Rinerson说，“我们把它称为‘万亿比特存储技术’，该技术将会挑战大容量旋转磁介质。”

为了保护开发成果，Unity Semiconductor公司申请了大量专利，专利组合之中现有60多项正式专利，还有90项专利申请正在办理之中。

Rinerson先生说，“我们2年内即可实现首款64兆位存储级内存产品的量产。”Unity Semiconductor公司研制64Kb产品花了2年时间，64Mb产品花了1年时间，而64Gb产品将在2010年上半年面市。

Rinerson先生补充说，“为了全面开发我们独有的下一代存储技术CMOxTM，并把它推向市场，就要找一些量产合作伙伴。”从公司的生产战略出发，Unity Semiconductor公司需要与一家领先的内存集成设备制造商（IDM）组建合资企业，负责批量生产。

根据市场研究者的预测，Unity公司认为，其存储级非易失性内存产品总共可以覆盖的市场规模在2010年将达到近150亿美元，2013年还会增长到250亿美元以上。

Unity Semiconductor公司依靠创新的多层存储阵列架构和一项名为CMOxTM的突破性新技术，从事非易失性存储级内存产品的设计和开发，是该领域的领先企业。Unity Semiconductor公司（www.unitysemi.com）创立于2002年，总部设在美国硅谷，有40多名员工。

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