作为一个拥有关键技术的非易失性内存设计和开发商，期望提供具备当前NAND闪存的4x 存储密度和5-10x 写入速度的储存级内存产品。

美国商业资讯加州桑尼维尔消息——

Unity Semiconductor Corp.一家新兴的硅谷企业，它将以非易失性内存的设计、开发和制造商的身份，进军半导体数据存储市场。该公司于今日表示，其目标是达到业内最小的晶片尺寸和最低的位元成本。这家储存级非易失性内存（NVM）公司计划通过创新的多层存储阵列结构和一种名为CMOxTM的新型关键技术来实现这一目标。CMOxTM主要是在伴有离子运动的半导体制程中加入了一种叫做导电性金属氧化物的新材料。

Unity Semiconductor 的董事长、总裁兼CEO Darrell Rinerson说：“公司的首个产品是一种64千兆的储存级内存，将在两年内开始生产。”Darrell Rinerson曾在知名的内存公司美光科技公司（纳斯达克股票代码：MU)和超威半导体公司（纳斯达克股票代码：AMD)任职。成立于2002年的Unity Semiconductor，已经成功地研发了全球首个无需存储单元晶体管的被动式可重写交叉点存储阵列。Unity Semiconductor已有两年的64千比特产品和1年的64兆产品制程经验，而且由公司设计的一种64千兆产品即将下线，预计这种产品将于2010年下半年开始试产，2011年2季度开始批量生产。

Unity Semiconductor不仅要为主要的高密度内存研发出一种NAND闪存的替代技术，公司还希望能开发并生产出NAND闪存的“下一代”产品，这种产品最终将应用于各种嵌入式高性能应用平台和企业应用平台。Rinerson 说：“只有‘太位技术’能够挑战大容量旋转磁性介质。”

Unity Semiconductor将与领先的内存集成器件制造商（IDM）密切合作，以非易失性内存的设计、开发和制造商的身份，服务于半导体数据存储市场。除此以外，公司还将开展一些知识产权许可业务。

加州蒙特利Web-Feet Research的CEO Alan Niebel 说：“储存级内存（SCM）通常分为内存式（非易失性RAM）和存储器式两种。CMOxTM是首个真正意义上的储存级内存，它能满足高级存储的对存储器的性能要求。作为首个交叉点存储装置，CMOxTM能够精确到20纳米以下，存储密度高于每单元存储4比特（4bits/cell）的NAND 技术。此外，它使用每单元1微安培以下的写入流，拥有10x的写入速度，而且比NAND更耐用、费用更低。”

根据市场研究机构的预测，Unity Semiconductor相信，到2010年，公司的储存级非易失性内存的市场容量将达到150亿美元左右，到2013年将超过250亿美元。

这家新兴公司对于目标市场份额的预测，是基于它独有的新一代NVM技术CMOxTM。基于CMOxTM技术的储存级内存产品的高性价比将使Unity Semiconductor有能力直指高性能NAND闪存的替代市场。但是， CMOxTM主要针对新兴市场，如笔记本电脑和上网本电脑的固态硬盘（SSDs）、移动互联网设备（MIDs）和智能手机等，根据市场预测，到2012年，这些市场将有90%以上使用嵌入式闪存。

CMOxTM是一种新一代NVM 技术，它采用Unity Semiconductor的专利技术，能在特定的金属氧化物组合中发生转换效应。Unity Semiconductor在CMOxTM中使用的转换概念不同于当前的闪存技术。CMOxTM技术的存储效应来自于离子载流子的运动。由于不需要存储单元晶体管，CMOxTM可用于生成被动式交叉点多层存储阵列。其他的存储技术，如相变化内存（PCM）和磁性随机存取存储器（MRAM），每个存储单元都需要一个晶体管，因此不符合交叉点多层晶片结构的要求。

Unity Semiconductor的多层交叉点阵列使用了一个阻抗性组件，但不是像其他几家公司那样，使用阻抗性随机存取存储器（RRAM）存储单元，相反，在CMOxTM技术中，导体不是线性分布的，而是平均分布于各处。同时，交叉点存储阵列结构能够容纳高度密集的基于新一代NVM技术的内存装置，此外，它还允许多层内存的叠加。Unity Semiconductor的CMOxTM技术使用了4层多层式晶片（MLC）内存，这对于增加储存级内存产品的存储密度十分重要。作为一项新一代非易失性内存技术，CMOxTM将生产出具备当前NAND闪存的4x 存储密度和5-10x 写入速度。Rinerson说：“我们相信只有小存储单元的CMOxTM有能力在费用和存储密度方面胜过NAND闪存。”

除了技术创新，Unity Semiconductor还有一些其他业务，其中包括将前段（FEOL）的CMOS晶片制程与后段（BEOL）的内存层制程分离。CMOS晶片不需要新的制程技术，可在CMOS逻辑工厂进行生产，以现有的产能，只需拥有90纳米的CMOS后缘制程即可。

BEOL MemoryTM能保证在CMOS逻辑工厂在从事内存制造同时，无需承担内存市场的巨大风险。

Unity Semiconductor的CMOS FEOL策略使得公司能够适度借鉴他人的CMOS晶体管技术。公司的衰减路径也将有所不同，因为高存储密度的存储磁芯不需要基础CMOS技术的升级，相反，Unity Semiconductor可以使用同样的90纳米基础CMOS技术来开发许多代产品，并采用认可的设计IP来降低风险、缩短产品上市时间。Unity Semiconductor特有的衰退路径策略会降低制造的基本费用，例如，公司可以持续使用90纳米后缘的生产线，并将较旧的CMOS逻辑生产线作为它的前段制程工厂。在前段制程阶段，不需要追加投资。

为了保持相对传统NAND 闪存技术的4x优势，BEOL MemoryTM必须积极改进，保持其前沿地位，而基础CMOS则不必。因此Unity Semiconductor将借鉴最新的内存技术。它将以尽可能快的速度，最大限度地利用先进的半导体制造工具。公司的BEOL MemoryTM策略要求它与一家领先的内存IDM进行合资生产。公司的合作伙伴，亚利桑那州菲尼克斯的Convergent Semiconductors的Sherry Garber说：“这种生产模式，以及我们生产的产品，都是革命性的。”

CMOxTM 64千兆装置的运行频率将达到100兆赫兹，最高数据速率将达到每秒200兆字节。持续写入速度可达到每秒60兆字节，读取速度可达到每秒100兆字节。

Unity Semiconductor是一家资金雄厚的新兴企业，至今已累计得到将近6500万美元来自风险投资机构和一家主要硬盘驱动器制造商的投资。最近Unity Semiconductor还获得了2200万美元的C轮投资，主要来自公司的三家风险投资者，August Capital、Lightspeed Venture Partners和Morgenthaler Ventures，以及上述硬盘驱动器制造商。最新的一轮融资行动包括1000万美元的债券融资，共募集了将近7500美元资金。

Unity Semiconductor是非易失性储存级内存的设计和开发商，公司使用创新性的多层内存阵列结构，以及一种名为CMOxTM的新型存储单元技术。Unity Semiconductor（www.unitysemi.com）于2002年在硅谷成立，目前拥有40多名员工。

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