東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)推出了採用第四代600V系統超接面(super junction)MOSFET DTMOSIV系列的高速二極體。新系列採用最新的單磊晶製程打造,其每單位面積導通電阻(RON•A)較現有產品降低了約30%(注1),處於業界領先水準。(注2)另外,高速寄生二極體的反向恢復時間約為現有產品的三分之一(注3),降低了損耗並有助於提高功效。
(注1) 與之前的DTMOSIII系列比較。東芝數據。
(注2) 截至2013年4月2日。東芝數據。
(注3) 與現有的TK16A60W產品比較。截至2013年4月3日。東芝數據。
應用
開關電源、微逆變器、配接器和太陽光逆變器
主要特性
1. RON•A較現有產品(DTMOSIII系列)降低了30%。
2. 高速寄生二極體的反向恢復時間約為現有產品的三分之一。
3. 採用單磊晶製程打造,確保高溫時的導通電阻和反向恢復時間只會小幅增加。
4. 寬廣的導通電阻範圍(0.65-0.074Ω)
5. 多種封裝
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主要規格 |
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產品型號 |
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絕對最大額定值 |
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RDS(ON) 最大值 (Ω) |
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Qg 標準值 (nC) |
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Ciss 標準值 (pF) |
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trr 標準值 (ns) |
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封裝 |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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VGS=10V |
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TK16A60W5 |
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600 |
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15.8 |
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0.23 |
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43 |
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1350 |
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100 |
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TO-220SIS |
TK31J60W5 |
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600 |
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30.8 |
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0.099 |
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105 |
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3000 |
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135 |
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TO-3P(N) |
TK39J60W5 |
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600 |
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38.8 |
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0.074 |
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135 |
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4100 |
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150 |
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TO-3P(N) |
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*透過下方連結瞭解該產品詳情。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267582_2470.html
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