东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造,其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1),处于业界领先水平。(注2)另外,高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3),降低了损耗并有助于提高功效。
(注1) 与此前的“DTMOSIII”系列比较。东芝数据。
(注2) 截至2013年4月2日。东芝数据。
(注3) 与现有的“TK16A60W”产品比较。截至2013年4月3日。东芝数据。
应用
开关电源,微逆变器,适配器和光伏逆变器
主要特性
1. RON•A较现有产品(DTMOSIII系列)降低了30%。
2. 高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一。
3. 采用单外延工艺打造,确保高温时的导通电阻和反向恢复时间只会小幅增加。
4. 宽广的导通电阻范围(0.65-0.074Ω)
5. 多种封装
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主要规格 |
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产品型号 |
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绝对最大额定值 |
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RDS(ON) 最大值 (Ω) |
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Qg 标准值 (nC) |
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Ciss 标准值 (pF) |
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trr 标准值 (ns) |
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封装 |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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VGS=10V |
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TK16A60W5 |
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600 |
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15.8 |
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0.23 |
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43 |
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1350 |
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100 |
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TO-220SIS |
TK31J60W5 |
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600 |
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30.8 |
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0.099 |
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105 |
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3000 |
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135 |
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TO-3P(N) |
TK39J60W5 |
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600 |
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38.8 |
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0.074 |
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135 |
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4100 |
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150 |
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TO-3P(N) |
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*通过下方链接了解该产品详情。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267582_2470.html
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