東京--（美國商業資訊）--東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布推出新系列高壓MOSFET πMOS VIII系列，並推出了該系列的首款產品TK9J90E，並計畫於2013年8月投入量產。
透過最佳化晶片設計，可將其每單位面積導通電阻（Ron·A）較同類產品1約降低24%；而閘極電荷（Qg）性能降低約24%，則可將關閉時間（toff）改善約28%。
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主要規格 |
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產品型號 |
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封裝 |
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絕對最大額定值 |
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RDS（ON） 最大值 （Ω） |
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Qg 標準值 |
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Ciss 標準值 |
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VDSS （V） |
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ID （A） |
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VGS=10V |
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TK9J90E |
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TO-3P（N） |
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900 |
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9 |
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1.3 |
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46 |
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2000 |
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注：
1. 與2SK3878對比。
有關該產品的更多資訊，敬請查看產品頁面：
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324090_37649.html
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東芝的高壓MOSFET TK9J90E（照片：美國商業資訊）。
