东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并计划于2013年8月投入量产。
通过优化芯片设计,可将其每单位面积导通电阻(Ron·A)较同类产品1约降低24%;而门极电荷(Qg)性能降低约24%,则可将关断时间(toff)改善约28%。
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主要规格 |
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产品型号 |
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封装 |
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绝对最大额定值 |
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RDS(ON) 最大值 (Ω) |
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Qg 标准值 |
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Ciss 标准值 |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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VGS=10V |
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TK9J90E |
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TO-3P(N) |
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900 |
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9 |
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1.3 |
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46 |
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2000 |
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注:
1. 与“2SK3878”对比。
有关该产品的更多信息,敬请查看产品页面:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324090_37649.html
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