東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出一系列新型高速開關類超接面(super junction) MOSFET。全新的「DTMOS IV-H系列」採用東芝第四代600V超接面MOSFET「DTMOS IV系列」。新系列中的三款新產品將於三月底投入量產。
新系列保持了傳統DTMOS IV產品的低導通電阻水準，同時將閘極與漏極之間的寄生電容減少45%，從而實現更快速的開關性能。這有助於提高產品的電源效率。將來還計畫推出其他封裝形式。
新產品的主要特性
- 閘極模式最佳化，相較於「DTMOS IV系列」，閘極-漏極電荷降低了45%。
- 因使用單一磊晶製程，高溫下導通電阻的增幅減小。
3. 低導通電阻陣容
應用
- 伺服器和電信基地台的高效率開關電源
2. 光電逆變器的功率調節器
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新產品的主要規格 |
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產品型號 |
封裝 |
最大絕對定額值 |
RDS(ON) 最大值(Ω) at VGS=10V |
Qg 典型值 (nC) |
Ciss 典型值 (pF) |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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TK31N60X |
TO-247 |
600 |
30.8 |
0.088 |
65 |
3000 |
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TK39N60X |
TO-247 |
600 |
38.8 |
0.065 |
85 |
4100 |
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TK62N60X |
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TO-247 |
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600 |
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61.8 |
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0.040 |
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135 |
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6500 |
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東芝：600V超接面MOSFET "DTMOS IV-H"高速開關系列（照片：美國商業資訊）
