东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出一系列新型高速开关类超结(super junction) MOSFET。这一新的“DTMOS IV-H系列”基于东芝第四代600V超结MOSFET“DTMOS IV系列”。新系列中的三款新产品将于三月底投入量产。
新系列保持了传统“DTMOS IV”产品的低导通电阻水平，同时将栅极与漏极之间的寄生电容减少45%，从而实现更快速的开关性能。这有助于提高产品的电源效率。将来还计划推出其他封装形式。
新产品的主要特性
- 栅极模式优化，相比“DTMOS IV系列”，栅极-漏极电荷降低了45%。
- 因使用单一外延工艺，高温下导通电阻的增大幅度减小。
3. 低导通电阻阵容
应用
- 服务器和电信基站的高效开关电源
2. 光伏逆变器的功率调节器
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新产品的主要规格 |
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产品型号 |
封装 |
最大绝对定额值 |
RDS(ON) 最大值(Ω) at VGS=10V |
Qg 典型值 (nC) |
Ciss 典型值 (pF) |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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TK31N60X |
TO-247 |
600 |
30.8 |
0.088 |
65 |
3000 |
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TK39N60X |
TO-247 |
600 |
38.8 |
0.065 |
85 |
4100 |
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TK62N60X |
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TO-247 |
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600 |
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61.8 |
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0.040 |
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135 |
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6500 |
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东芝：600V超结MOSFET "DTMOS IV-H"高速开关系列（照片：美国商业资讯）
