简体中文 | 繁體中文 | English

/sites/default/files/logos/T/toshiba 01

東芝推出低高度封裝軌到軌輸出閘極驅動光電耦合器

2014-09-09 11:12
  • zh_cn
  • zh_hant
  • en

東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出採用低高度SO6L封裝的軌到軌輸出閘極驅動光電耦合器,用於直接驅動中低等功率絕緣閘雙極電晶體(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(power MOSFET)。量產出貨即日啟動。

 

新款光電耦合器包括用於驅動小功率IGBT的TLP5751和用於驅動中等功率IGBT的TLP5752及TLP5754,它們均採用低高度SO6L封裝。與採用DIP8封裝的東芝產品相比,新產品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助於開發更纖薄小巧的裝置。儘管高度較低,但新產品依然保證了8mm的爬電距離和5kV的絕緣電壓,適用於對絕緣規格要求較高的應用。

 

電氣特性方面,新款光電耦合器擁有軌到軌輸出,在滿擺幅輸出狀態下可透過擴大操作電壓範圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流,以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內建東芝獨創的高功率紅外線LED,適用於多種應用,包括需要高度熱穩定性的應用,例如工廠自動化、家用光電電力系統、數位化家用電器和不斷電供應系統(UPS)。

 

新產品主要規格 

 

產品型號

 

 

TLP5751

 

 

TLP5752

 

 

TLP5754

 

峰值輸出電流

 

 

±1.0A

 

 

±2.5A

 

 

±4.0A

 

供電電壓

 

 

15~30V

 

電源電流

 

 

3mA (最大值)

 

閾值輸入電流

 

 

4mA (最大值)

 

傳播延遲時間

 

 

150ns (最大值)

 

傳播延遲偏差

 

 

80ns (最大值)

 

軌到軌輸出

 

 

預裝

 

VUVLO功能

 

 

預裝

 

爬電距離

 

 

8mm (最小值)

 

絕緣電壓

 

 

5000Vrms (最小值)

 

共模瞬態抗擾度

 

 

±35 kV/µsec

 

工作溫度範圍

 

 

-40~110 ºC

 

適用功率設備

 

 

低功率
IGBT(最高
20A級)和
功率MOSFET

 

 

中等功率
IGBT(最高
80A級)和
功率MOSFET

 

 

中等功率
IGBT(最高
100A級)和
功率 MOSFET

 

如需瞭解有關東芝光電耦合器的更多資訊,請按以下連結:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/opto/coupler/index.html

 

客戶詢問:
光電設備銷售和行銷部
電話:+81-3-3457-3431

 

本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

 

關於東芝
 

東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業,致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於五個策略業務領域:能源與基礎建設、社區解決方案、醫療照護系統與服務、電子設備與元件,以及生活方式產品與服務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下,東芝以「透過創造力和創新實現成長」為目標來推動全球業務,並致力於讓全球各地的人們生活在一個安全、有保障和舒適的社會中。

 

東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著590多家附屬公司的環球企業,全球擁有超過200,000名員工,年銷售額逾6.5兆日圓(630億美元)。
更多資訊請造訪東芝網站:www.toshiba.co.jp/index.htm

 

圖片/多媒體資料庫可以從以下網址獲得: http://www.businesswire.com/multimedia/home/20140905005114/en/

 

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

聯絡方式:

 

媒體詢問:
東芝公司
半導體和儲存產品公司
Koji Takahata, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

東芝:採用低高度SO6L封裝的軌到軌輸出閘極驅動光電耦合器(照片:美國商業資訊)

東芝:採用低高度SO6L封裝的軌到軌輸出閘極驅動光電耦合器(照片:美國商業資訊)

分享到: