東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出採用低高度SO6L封裝的軌到軌輸出閘極驅動光電耦合器,用於直接驅動中低等功率絕緣閘雙極電晶體(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(power MOSFET)。量產出貨即日啟動。
新款光電耦合器包括用於驅動小功率IGBT的TLP5751和用於驅動中等功率IGBT的TLP5752及TLP5754,它們均採用低高度SO6L封裝。與採用DIP8封裝的東芝產品相比,新產品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助於開發更纖薄小巧的裝置。儘管高度較低,但新產品依然保證了8mm的爬電距離和5kV的絕緣電壓,適用於對絕緣規格要求較高的應用。
電氣特性方面,新款光電耦合器擁有軌到軌輸出,在滿擺幅輸出狀態下可透過擴大操作電壓範圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流,以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內建東芝獨創的高功率紅外線LED,適用於多種應用,包括需要高度熱穩定性的應用,例如工廠自動化、家用光電電力系統、數位化家用電器和不斷電供應系統(UPS)。
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新產品主要規格 |
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產品型號 |
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TLP5751 |
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TLP5752 |
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TLP5754 |
峰值輸出電流 |
±1.0A |
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±2.5A |
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±4.0A |
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供電電壓 |
15~30V |
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電源電流 |
3mA (最大值) |
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閾值輸入電流 |
4mA (最大值) |
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傳播延遲時間 |
150ns (最大值) |
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傳播延遲偏差 |
80ns (最大值) |
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軌到軌輸出 |
預裝 |
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VUVLO功能 |
預裝 |
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爬電距離 |
8mm (最小值) |
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絕緣電壓 |
5000Vrms (最小值) |
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共模瞬態抗擾度 |
±35 kV/µsec |
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工作溫度範圍 |
-40~110 ºC |
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適用功率設備 |
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低功率 |
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中等功率 |
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中等功率 |
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