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东芝推出低高度封装轨到轨输出栅极驱动光电耦合器

2014-09-09 11:12
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东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。

 

新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比,新产品的高度仅为前者的54%,安装面积仅为前者的43%,有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低,但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压,适用于对绝缘规格要求较高的应用。

 

电气特性方面,新款光电耦合器拥有轨到轨输出,在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流,以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED,适用于多种应用,包括需要高度热稳定性的应用,例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。

 

新产品主要规格 

 

产品型号

 

 

TLP5751

 

 

TLP5752

 

 

TLP5754

 

峰值输出电流

 

 

±1.0A

 

 

±2.5A

 

 

±4.0A

 

供电电压

 

 

15~30V

 

电源电流

 

 

3mA (最大值)

 

阈值输入电流

 

 

4mA (最大值)

 

传播延迟时间

 

 

150ns (最大值)

 

传播延迟偏差

 

 

80ns (最大值)

 

轨到轨输出

 

 

预装

 

VUVLO功能

 

 

预装

 

爬电距离

 

 

8mm (最小值)

 

绝缘电压

 

 

5000Vrms (最小值)

 

共模瞬态抗扰度

 

 

±35 kV/µsec

 

工作温度范围

 

 

-40~110 ºC

 

适用功率设备

 

 

低功率
IGBT(最高
20A级)和
功率MOSFET

 

 

中等功率
IGBT(最高
80A级)和
功率MOSFET

 

 

中等功率
IGBT(最高
100A级)和
功率 MOSFET

 

如需了解有关东芝光电耦合器的更多信息,请点击以下链接:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/opto/coupler/index.html

 

客户垂询:
光电设备销售和营销部
电话:+81-3-3457-3431

 

本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

 

关于东芝
 

东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域:能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件,以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务,并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

 

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业,全球拥有超过200,000名员工,年销售额逾6.5万亿日元(630亿美元)。
更多信息请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

 

图片/多媒体资料库可以从以下网址获得: http://www.businesswire.com/multimedia/home/20140905005114/en/

 

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

联系方式:

 

媒体垂询:
东芝公司
半导体&存储产品公司
Koji Takahata, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

东芝:采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器(照片:美国商业资讯)

东芝:采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器(照片:美国商业资讯)

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