东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨到轨输出栅极驱动光电耦合器,用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(power MOSFET)。量产出货即日启动。
新款光电耦合器包括用于驱动小功率IGBT的“TLP5751”和用于驱动中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它们均采用低高度SO6L封装。与采用DIP8封装的东芝产品相比,新产品的高度仅为前者的54%,安装面积仅为前者的43%,有助于开发更纤薄小巧的装置。尽管高度较低,但新产品依然保证了8mm的爬电距离和5kV的绝缘电压,适用于对绝缘规格要求较高的应用。
电气特性方面,新款光电耦合器拥有轨到轨输出,在满摆幅输出状态下可通过扩大操作电压范围来实现更高的效率。新产品提供1A、2.5A和4A三种输出电流,以满足广泛的用户需求。新产品还内置东芝独创的高功率红外LED,适用于多种应用,包括需要高度热稳定性的应用,例如工厂自动化、家用光电电力系统、数字化家用电器和不间断电源(UPS)。
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新产品主要规格 |
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产品型号 |
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TLP5751 |
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TLP5752 |
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TLP5754 |
峰值输出电流 |
±1.0A |
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±2.5A |
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±4.0A |
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供电电压 |
15~30V |
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电源电流 |
3mA (最大值) |
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阈值输入电流 |
4mA (最大值) |
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传播延迟时间 |
150ns (最大值) |
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传播延迟偏差 |
80ns (最大值) |
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轨到轨输出 |
预装 |
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VUVLO功能 |
预装 |
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爬电距离 |
8mm (最小值) |
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绝缘电压 |
5000Vrms (最小值) |
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共模瞬态抗扰度 |
±35 kV/µsec |
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工作温度范围 |
-40~110 ºC |
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适用功率设备 |
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低功率 |
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中等功率 |
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中等功率 |
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