東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半導體和儲存產品公司今天宣布,推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)閘極驅動器TPD7104F。新產品是一個適用於電荷泵的整合式電路,與東芝的傳統產品相比,工作電壓更低[1],為VDD(opr) = 5至18V。出貨即日起啟動。
新產品主要規格
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1. |
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BiCD 0.13μm製程 |
2. |
供電電壓:VDD(opr)=5至18V |
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3. |
內建過流保護功能 |
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4. |
內建過流診斷功能 |
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5. |
輸出電壓 |
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VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C |
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VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C |
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6. |
小型封裝 |
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PS-8 (2.8mm x 2.9mm) |
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應用
適用於汽車應用,驅動12V蓄電池所使用的高邊N溝道MOSFET,包括用於怠速停止系統和電動助力轉向系統(EPS)的半導體繼電器和半導體負載開關。
注釋:
[1] 與“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比
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東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著590多家附屬公司的環球企業,全球擁有超過200,000名員工,年銷售額逾6.5兆日圓(630億美元)。
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