东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路,与东芝的传统产品相比,工作电压更低[1],为VDD(opr) = 5至18V。出货即日起启动。
新产品主要规格
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1. |
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BiCD 0.13μm工艺 |
2. |
供电电压:VDD(opr)=5至18V |
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3. |
内置过流保护功能 |
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4. |
内置过流诊断功能 |
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5. |
输出电压 |
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VOUT=VDD+8V(最低值)@VDD=5V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C |
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VOUT=VDD+10V(最低值)@VDD=8至18V,IOUT=-100μA,Tj=-40至125°C |
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6. |
小型封装 |
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PS-8 (2.8mm x 2.9mm) |
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应用
适用于汽车应用,驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET,包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。
注释:
[1] 与“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比
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http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
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