- 東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)U-MOS IX-H系列。與東芝傳統的U-MOS VI-H系列相比，新系列減少了76％的導通電阻，實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。
注釋：
[1] 截至2014年11月4日。東芝調查
[2] Qoss：輸出電荷
主要特性
*業界頂級的低導通電阻：0.85mΩ（最大值）
*業界頂級的低RDS(ON)・Qoss：60mΩ・nC
應用
適用於伺服器和電信基地台的高效率開關電源
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主要規格 |
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元件名稱 |
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封裝 |
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VDSS (V) |
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RDS(ON) 最大值 (mΩ) VGS=10V時 |
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Ciss 典型值 (pF) |
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Qoss 典型值 (nC) |
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TPHR8504PL |
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SOP Advance |
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40 |
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0.85 |
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7370 |
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85.4 |
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http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
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東芝公司是一家《財星》雜誌全球500大企業，致力於將其在先進電子和電氣產品及系統方面的一流能力運用於五個策略業務領域：能源與基礎建設、社區解決方案、醫療照護系統與服務、電子設備與元件，以及生活方式產品與服務。在東芝集團的基本承諾「為了人類和地球的明天」的指引下，東芝以「透過創造力和創新實現成長」為目標來推動全球業務，並致力於讓全球各地的人們生活在一個安全、有保障和舒適的社會中。
東芝於1875年在東京成立，如今已成為一家有著590多家附屬公司的環球企業，全球擁有超過200,000名員工，年銷售額逾6.5兆日圓（630億美元）。
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東芝MOSFET：SOP Advance封裝（照片：美國商業資訊）
