东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列,新系列减少了76%的导通电阻,实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外,它还减少了Qoss[2]的增加,从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。
注释:
[1] 截至2014年11月4日。东芝调查
[2] Qoss:输出电荷
主要特性
*业界顶级的低导通电阻:0.85mΩ(最大值)
*业界顶级的低RDS(ON)・Qoss:60mΩ・nC
应用
适用于服务器和电信基站的高效开关电源
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主要规格 |
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部件名称 |
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封装 |
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VDSS (V) |
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RDS(ON) 最大值 (mΩ) VGS=10V时 |
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Ciss 典型值 (pF) |
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Qoss 典型值 (nC) |
TPHR8504PL |
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SOP Advance |
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40 |
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0.85 |
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7370 |
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85.4 |
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http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
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