東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)今日針對嵌入式應用推出新系列NAND快閃記憶體產品,新產品與廣泛使用的序列周邊介面(SPI)相容。新的「序列介面NAND」應用十分廣泛,包括諸如平面電視、印表機和穿戴式裝置等消費類應用以及諸如機器人等工業應用。該系列產品陣容強大,共提供12種產品供使用者選擇,這些產品提供1Gbit、2Gbit和4Gbit三種儲存密度;WSON[1]和SOP[2]兩種封裝以及兩種電源電壓。樣品出貨即日啟動,12月計畫開始1Gbit產品的量產。隨後將啟動該系列其餘產品的量產。
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新的「序列介面NAND」與廣泛使用的SPI相容,只需使用6個引腳進行控制,因而可當作SLC NAND快閃記憶體使用,支援少引腳數量、小型封裝和大容量。
NOR快閃記憶體通常應用於消費類設備和工業設備的嵌入式應用。然而,為了在嵌入式設備中實現額外的功能,需要更大的儲存密度來保存軟體(如啟動程式、韌體和嵌入式作業系統)和資料(如日誌資料)。這促使對SLC NAND快閃記憶體的需求增加,與NOR快閃記憶體相比,SLC NAND快閃記憶體提供更大的儲存密度和可靠性且成本更低。
東芝向其產品陣容中增加該「序列介面NAND」,旨在滿足廣泛的市場需求並拓展NAND快閃記憶體市場。
注
[1] WSON:超超薄型小外形無引線封裝
[2] SOP:小外形封裝
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新產品概述: |
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產品型號 |
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儲存密度 |
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I/O |
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電壓 |
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封裝 |
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量產時間 |
TC58CVG0S3HRAIF |
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1Gbit |
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x1、x2、x4 |
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3.3V |
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WSON |
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2015年12月 |
TC58CVG0S3HQAIE |
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SOP |
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2015年12月 |
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TC58CYG0S3HRAIF |
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1.8V |
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WSON |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CYG0S3HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CVG1S3HRAIF |
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2Gbit |
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3.3V |
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WSON |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CVG1S3HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CYG1S3HRAIF |
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1.8V |
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WSON |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CYG1S3HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CVG2S0HRAIF |
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4Gbit |
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3.3V |
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WSON |
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2015年12月 |
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TC58CVG2S0HQAIE |
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SOP |
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2015年12月 |
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TC58CYG2S0HRAIF |
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1.8V |
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WSON |
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2016年第一季(1月—3月) |
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TC58CYG2S0HQAIE |
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SOP |
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2016年第一季(1月—3月) |
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新產品的主要特性: |
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1. |
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採用SLC NAND專用24奈米尖端製程技術。 |
2. |
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與廣泛使用的SPI相容,可透過較少的引腳數量(6引腳)進行控制。 |
3. |
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支援多樣化小型封裝。6.0mm×8.0mm的WSON封裝以及10.3mm×7.5mm的SOP封裝。 BGA[3]封裝產品也在開發中,計畫於2016年第一季(1月—3月)啟動樣品出貨。封裝和引腳分配與常見的序列快閃記憶體相容。 |
4. |
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搭載位元翻轉計數報告功能的嵌入式ECC(錯誤校正碼)。 |
5. |
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嵌入式資料保護功能。 |
注
[3] BGA:球閘陣列封裝。6.0mm×8.0mm、5ball×5ball封裝。
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新產品的主要規格: |
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儲存密度 |
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1Gbit / 2Gbit / 4Gbit |
記憶體分頁大小 |
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2KByte (1Gbit, 2Gbit)、4KByte (4Gbit) |
介面 |
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序列周邊介面,Mode 0、Mode 3 |
I/O |
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x1、x2、x4 |
電壓 |
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2.7-3.6V、1.7-1.95V |
工作溫度範圍 |
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-40oC-85oC |
封裝 |
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• 8引腳WSON (6mm × 8mm)封裝 |
其它 |
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• 高速循序讀取功能 |
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客戶詢問:
移動記憶體銷售與行銷部
電話:+81-3-3457-3401
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東芝於1875年在東京成立,如今已成為一家有著580多家附屬公司的環球企業,全球擁有超過199,000名員工,年銷售額逾6.6兆日圓(550億美元)。
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