東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案的全球領導者東芝記憶體公司今日宣佈，公司已開發出全球首款[1]採用矽穿孔(TSV)[3]技術的BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體[2]，該產品採用每單元三位元（三階儲存單元，TLC）技術。用於開發目的的原型機已於6月開始出貨，產品樣品訂於2017年下半年發表。這一開創性器件的原型機將於8月7-10日在美國加州聖克拉拉舉行的2017年快閃記憶體高峰會上亮相。
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採用TSV技術製造的器件具有垂直電極和貫穿矽晶片模的通孔以提供連接，這種結構在降低功耗的同時，可實現高速資料輸入和輸出。其實際性能在之前推出東芝二維NAND快閃記憶體[4]時已得到驗證。
結合48層3D快閃記憶體製程和TSV技術，使東芝記憶體公司能夠成功增加產品程式設計頻寬，同時獲致低功耗。單一封裝的功率效率[5]是採用引線接合技術製造的同一代BiCS FLASH™快閃記憶體功率效率的近兩倍[6]。TSV BiCS FLASH™還在單一封裝內實現了具有16顆粒堆疊式結構的1TB存放裝置。
東芝記憶體公司將推動採用TSV技術的BiCS FLASH™的商業化，為包括高階企業級SSD在內的儲存應用提供理想的低延遲、高頻寬和高IOPS[7]/watt解決方案。
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一般規格（原型機） |
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封裝類型 |
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NAND Dual x8 BGA-152 |
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儲存容量 |
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512 GB |
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1 TB |
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棧數： |
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8 |
16 |
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外形尺寸 |
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W |
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14 mm |
14 mm |
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D |
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18 mm |
18 mm |
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H |
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1.35 mm |
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1.85 mm |
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介面 |
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Toggle DDR |
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最大介面速度 |
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1066Mbps |
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註：
[1] 資料來源：東芝記憶體公司，截至2017年7月11日。
[2] 在矽基板上垂直堆疊快閃記憶體儲存單元的結構，與平面NAND快閃記憶體（儲存單元位於矽基板上）相比，其大幅提高了密度。
[3] 矽穿孔技術：該技術利用垂直電極和貫穿矽晶片模的通孔，在單一封裝內提供連接。
[4] 「東芝研發出全球首款搭載TSV技術的16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體」
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2015/08/memory-20150806-1.html
[5] 每個功率單位的資料傳輸速率。(MB/s/W)
[6] 與東芝記憶體公司現有產品相比。
[7] 每秒輸入輸出：每秒鐘通過I/O埠處理的資料輸入和輸出量。數值越大，性能越好。
原文版本可在businesswire.com上查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20170710006538/en/
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全球首款搭載TSV技術的三維快閃記憶體（照片：美國商業資訊）
