東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案全球領導者東芝記憶體公司今日宣布推出BG3系列，該新系列單一封裝NVM ExpressTM (NVMe™)用戶端SSD在球狀閘陣列(BGA)封裝之內整合東芝記憶體公司尖端的64層3-bit-per-cell（三階儲存單元，TLC）BiCS FLASH™和控制器。適用於PC OEM客戶的小量樣品出貨今日啟動，自今年第四季起，東芝記憶體公司將逐步增加出貨量。
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新的BG3系列SSD利用PCI EXPRESS® (PCIe®) Gen3x2通道的功能和NVMeTM Revision 1.2.1結構。此外，它們還配備有主機記憶體緩衝區(HMB)功能[1]，其利用主機記憶體代替動態隨機存取記憶體(DRAM)，實現節能和空間節省，為必須實現高效能和低功耗之間平衡的緊湊型設備開發人員提供支援。而且，SLC快取功能、改進的快閃記憶體管理和更高的快閃記憶體效能等幾大優點支援該產品實現最高可達1520MB/s的循序讀取效能和840MB/s的循序寫入效能。
新的BG3系列將提供三種容量：128GB、256GB和512GB[3]。每種容量均具備業界最小的SSD外形[4]，表面黏著16mm x 20mm x 1.5mm單一封裝M.2 1620[5]和可拆卸M.2 2230[6]模組。BG3系列擁有比上一代產品更緊湊的尺寸，128GB和256GB單一封裝型號符合1.35mm薄型M.2 1620-S2，而512GB單一封裝型號符合1.5mm M.2 1620-S3。這將有助於為先進行動和嵌入式設備開發新設計，包括超薄行動PC和平板電腦。而且，由於BG3 SSD具備緊湊尺寸和低功耗，因此還可以應用於資料中心的功耗和空間敏感型伺服器啟動記憶體。
還將透過提供支援TCG Opal Version 2.01[7]的自加密型驅動器(SED)型號來滿足安全性需求。
2017年8月8-10日期間，BG3系列將在於美國加州聖克拉拉舉行的2017年快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit 2017)上亮相。
*PCI EXPRESS和PCIe為PCI-SIG的註冊商標。
*NVMe和NVM Express為NVM Express, Inc.的商標
*本文提及的所有其他公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。
注
[1] 一種利用一部分主機DRAM進行快閃記憶體管理的功能。
[2] 東芝記憶體公司調查，根據128KiB單元的順序讀取和寫入速度，遵循東芝記憶體公司測試條件，使用BG3系列的512GB型號。根據主機設備、讀取和寫入條件以及檔案大小情況，讀寫速度可能存在差異。東芝記憶體公司定義1百萬位元組(MB)為1,000,000位元組，1千位元組(KiB)為 210位元組或1,024位元組。本新聞稿中提及的順序讀取和寫入效能為參考資料，可能因規格說明中的BG3產品資料而存在差異。
[3] 容量定義：東芝記憶體公司定義10億位元組(GB)為1,000,000,000位元組。而電腦作業系統使用2的冪方來報告儲存容量，其定義1GB = 230位元組= 1,073,741,824位元組，因此顯示更少的儲存容量。根據不同的檔案大小、格式、設定、軟體和作業系統，可用儲存容量（包括各種媒體檔案範例）將存在差異，如微軟作業系統和/或預載軟體應用程式或媒體內容。實際的格式化容量可能存在差異。
[4] 東芝記憶體公司調查，截至2017年8月3日。
[5] 128GB和256GB型號的外形為M.2 1620-S2，512GB型號的外形為M.2 1620-S3。
[6] 128GB和256GB型號的外形為M.2 2230-S2，512GB型號的外形為M.2 2230-S3。
[7] 不同地區SED型號產品的上市時間可能存在差異。
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東芝記憶體公司：採用64層3D快閃記憶體的單一封裝NVMe(TM)用戶端SSD（照片：美國商業資訊）
