加州戈利塔--(美國商業資訊)--設計和製造首批獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的650 V氮化鎵(GaN)半導體的領導者Transphorm Inc.透露，該公司已出貨超過25萬件高電壓GaN FET。這些元件由該公司位於日本會津若松市的晶圓代工廠生產，將在客戶的大規模生產應用中使用。
Transphorm還表示，其晶圓代工廠內受歡迎的50兆歐姆產品的年裝機量基數當量為1500萬個組件，並可輕鬆擴展處理2至5倍的量。此外，當需求有保證時，技術和製程可以從當前製造的6英寸晶片擴展到製造8英寸或可能更高尺寸的晶片。
Transphorm共同創辦人兼營運長Primit Parikh表示：「對於高電壓GaN來說，2018是顛覆產業格局的一年。Transphorm出貨的超過25萬件650 V GaN FET將在我們客戶的量產、高性能電源轉換器和變頻器產品中部署。這些產品透過各種通路供應，甚至包括亞馬遜(Amazon)。根據迄今為止的產量，我們能夠保守地估計現場作業小時數超過13億，現場FIT率控制在較低的個位數內，以及在大量的操作和加速可靠性測試作業條件下的平均故障間隔時間超過10億小時。」
Transphorm是首家發布出廠元件現場故障資料的高電壓GaN FET供應商。該資料用於計算以百萬分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現場故障率，以顯示這項技術的可靠性。現場資料的可用性是功率系統中高電壓GaN重要的新指標，因為它表明技術的成熟性。
事實上，市場顯示的軌跡呈正成長趨勢。市場研究和策略顧問公司Yole Développement (Yole)報告指出，到2023年，功率GaN市場規模將快速擴大，達到4.08億美元，年複合成長率(CAGR)為91%。1可望推動成長的高電壓應用包括快速充電器、資料中心及其他高端電源。
這項研究還表明，Transphorm的生產客戶跨越Yole提及的成長區隔領域等，包括：PC遊戲電源[CORSAIR]；伺服器電源[Bel Power、Delta]；伺服驅動器[Yaskawa]；行動電源[Inergy/Telcodium]。值得一提的是，2018年，隨著安世半導體(Nexperia)計畫推出600 V+ GaN FET及英飛淩(Infineo)推出其600 V產品組合，GaN的商品化取得重大進展。
Transphorm執行長Mario Rivas表示：「任何新技術的市場接受度的關鍵指標包括主要區隔市場上的領先客戶是否採用，以及是否出現能夠為隨後的高容量增加提供支援的多家強大供應商。儘管我們對Transphorm與客戶合作所取得的成績感到非常高興，但我們更加興奮的是能看到像Nexperia和英飛淩這樣的高電壓功率半導體領導者加入GaN革命。現在，客戶可以透過增加對供應商的信心來獲得節能型GaN的益處。」
評估早期故障的方法概述在《高電壓氮化鎵開關可靠性》(High Voltage GaN Switch Reliability)一文中有詳細介紹。GaN產品組合可在此處取得：https://www.transphormusa.com/en/products/。
關於Transphorm
Transphorm致力於讓功率電子設備突破矽極限。公司設計、製造並銷售用於高壓電源轉換應用的具備最高效能、最高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm 擁有全球最多的 Power GaN IP（全球超過1000 多個已發布和審核中專利），生產業界唯一獲得 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的 GaN FET。這來自於在每個階段進行創新的垂直整合業務方式：材料和元件設計、製造、線路整合、封裝、參考電路設計和應用支援。網站：transphormusa.com Twitter：@transphormusa
1 Power GaN 2018：磊晶、元件、應用和技術趨勢(Power GaN 2018: Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends) 報告，Yole Développement，2018
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