加州戈利塔--(美国商业资讯)--设计和制造首批获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的650 V氮化镓(GaN)半导体的领导者Transphorm Inc.透露，该公司已出货超过25万件高电压GaN FET。这些器件由该公司位于日本会津若松市的晶圆代工厂生产，将在客户的大规模生产应用中使用。
Transphorm还表示，其晶圆代工厂内受欢迎的50兆欧姆产品的年装机量基数当量为1500万个部件，并可轻松扩展处理2至5倍的量。此外，当需求有保证时，技术和制造工艺可以从当前制造的6英寸晶片扩展到制造8英寸或可能更高尺寸的晶片。
Transphorm共同创始人兼首席运营官Primit Parikh表示：“对于高电压GaN来说，2018是颠覆行业格局的一年。Transphorm出货的超过25万件650 V GaN FET将在我们客户的批量生产、高性能电源转换器和变频器产品中部署。这些产品通过各种渠道供应，甚至包括亚马逊。根据迄今为止的产量，我们能够保守地估计现场运行小时数超过13亿，现场FIT率控制在较低的个位数内，以及在大量的操作和加速可靠性测试运行条件下的故障前平均时间超过10亿小时。”
Transphorm是首家发布出厂器件现场故障数据的高电压GaN FET供应商。该数据用于计算以百万分率(ppm)和故障率(FIT)表示的现场故障率，以显示这项技术的可靠性。现场数据的可用性是功率系统中高电压GaN重要的新指标，因为它表明技术的成熟性。
事实上，市场显示的轨迹呈正增长趋势。市场研究和战略咨询公司Yole Développement (Yole)报告称，到2023年，功率GaN市场规模将快速扩大，达到4.08亿美元，复合年增长率(CAGR)为91%.1有望推动增长的高电压应用包括快速充电器、数据中心及其他高端电源。
这项研究还表明，Transphorm的生产客户跨越Yole提及的增长细分领域等，包括：PC游戏电源[CORSAIR]；服务器电源[Bel Power、Delta]；伺服驱动器[Yaskawa]；便携式电源[Inergy/Telcodium]。值得一提的是，2018年，随着安世半导体(Nexperia)计划推出600 V+ GaN FET及英飞凌(Infineo)推出其600 V产品组合，GaN的商业化取得重大进展。
Transphorm首席执行官Mario Rivas表示：“任何新技术的市场接受度的关键指标包括主要细分市场上的领先客户是否采用，以及是否出现能够为随后的高容量增加提供支持的多家强大供应商。尽管我们对Transphorm与客户合作所取得的成绩感到非常高兴，但我们更加兴奋的是能看到像Nexperia和英飞凌这样的高电压功率半导体领导者加入GaN革命。现在，客户可以通过增加对供应商的信心来获取节能型GaN的益处。”
评估早期故障的方法概述在“高电压氮化镓开关可靠性”(High Voltage GaN Switch Reliability)一文中进行了详细介绍。GaN产品组合可在此处获取：https://www.transphormusa.com/en/products/。
关于Transphorm
Transphorm致力于让功率电子设备突破硅极限。公司设计、制造并销售用于高压电源转换应用的具备最高效能、最高可靠性的 GaN 半导体。Transphorm 拥有全球最多的 Power GaN IP（全球超过1000 多个已发布和审核中专利），生产业界唯一获得 JEDEC 和 AEC-Q101 认证的 GaN FET。这来自于在每个阶段进行创新的垂直整合业务方式：材料和组件设计、制造、线路整合、封装、参考电路设计和应用支持。网站：transphormusa.com Twitter：@transphormusa
1 Power GaN 2018：外延、器件、应用和技术趋势(Power GaN 2018: Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends) 报告，Yole Développement，2018
原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20181213005155/en/
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