加州戈拉塔--(美國商業資訊)--首家獲得JEDEC和AEC-Q101認證、具有最高可靠性的650 V氮化鎵(GaN)半導體的設計和製造領導者Transphorm Inc.透露，該公司已交付了逾50萬高壓GaN FET。這一里程碑的實現歸因於客戶對其高品質、高可靠性GaN平臺的不斷採用。
高壓GaN的應用
許多工業、基礎建設、IT和PC遊戲市場的客戶已經公開宣布了使用Transphorm的GaN技術製造的量產設備。這說明了人們對於GaN解決方案的信心日益增強，預計它將成為一個有吸引力的市場。
事實上，現已屬於Informa Tech旗下的產業分析公司IHS Markit Technology預測，GaN電源分立元件、模組和系統IC的總收入到2028年將達到12億美元，其中約7.5億美元（占整個市場的近三分之二））來自於高壓GaN解決方案1。
Transphorm共同創辦人兼營運長Primit Parikh表示：「在業界普遍使用單晶片常關型矽MOSFET的時候，我們就推出了最強大的雙晶片常關型元件。正如我們眾所周知的發展態勢以及消費類配接器領域中其他知名製造商（如Power Integrations）所證明的那樣，雙晶片常關型GaN解決方案是當今最實用的高壓GaN FET設計。事實上，正是這種設計才使Transphorm的GaN實現了高性能和高可靠性，獲得了迄今為止超過50億小時(<2 FIT)的現場可靠性資料。」
Transphorm產品的成功很大程度上還是歸因於其產品的品質和可靠性(Q+R)。這種Q+R以該公司強大的常關型GaN平臺、對磊晶製程的強大控制以及製造能力為後盾——可以充分滿足從消費型配接器到汽車等各種跨產業市場的數量和品質要求。這些因素的綜合使該公司能夠生產具備空前可靠性、可設計性、可驅動性和可再現性的GaN FET。
Transphorm全球技術行銷兼北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「在GaN的目標核心高功率市場中取得成功之後，我們還正與快速成長的半導體落後市場（如消費類配接器和機上盒）的客戶合作，因為到目前為止，我們已經交付的大多數產品都針對的是更高功率的應用。超過50萬的650V FET相當於400多萬低功率（低於100瓦）FET，這證明了我們的量產能力。」
實地可靠性
一年前，Transphorm發布了第一套完整的高壓GaN功率半導體驗證資料。今天，該公司正式發布了其最新的實地可靠性資料。Transphorm的GaN技術擁有逾50億小時的實際使用時間，目前其FIT率小於2.0，PPM每年低於19.8。有關元件品質+可靠性的更多資訊，請造訪公司的Q+R網頁。
歡迎加入GaN革命！
Transphorm設計和製造用於高壓電源轉換應用的具備最高效能和最高可靠性的650 V和900 V氮化鎵(GaN)半導體。Transphorm擁有全球最多的IP組合（1000多項已授權和申請中的專利），生產業界唯一獲得JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET。這來自於在每個開發階段進行創新的垂直整合業務方式：設計、製造、元件和應用支援。網站：https://www.transphormchina.com/en/ Twitter: @transphormusa
1 SiC & GaN功率半導體報告，IHS Markit，2019年5月
原文版本可在businesswire.com上查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20191107005291/en/
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