加州戈拉塔--(美国商业资讯)--首家获得JEDEC和AEC-Q101认证、具有最高可靠性的650 V氮化镓(GaN)半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.透露，该公司已交付了逾50万高压GaN FET。这一里程碑的实现归因于客户对其高质量、高可靠性GaN平台的不断采用。
高压GaN的应用
许多工业、基础设施、IT和PC游戏市场的客户已经公开宣布了使用Transphorm的GaN技术制造的在产设备。这说明了人们对于GaN解决方案的信心日益增强，预计它将成为一个有吸引力的市场。
事实上，现已属于Informa Tech旗下的行业分析公司IHS Markit Technology预测，GaN电源分立器件、模块和系统IC的总收入到2028年将达到12亿美元，其中约7.5亿美元（占整个市场的近三分之二））来自于高压GaN解决方案1。
Transphorm联合创始人兼首席运营官Primit Parikh表示：“在业界普遍使用单芯片常关硅MOSFET的时候，我们就推出了最强大的两芯片常关器件。正如我们众所周知的发展势头以及消费类适配器领域中其他知名制造商（如Power Integrations）所证明的那样，两芯片常关GaN解决方案是当今最实用的高压GaN FET设计。事实上，正是这种设计才使Transphorm的GaN实现了高性能和高可靠性，获得了迄今为止超过50亿小时(<2 FIT)的现场可靠性数据。”
Transphorm产品的成功很大程度上还是归因于其产品的质量和可靠性(Q+R)。这种Q+R以该公司强大的常关型GaN平台、对外延工艺的强大控制以及制造能力为后盾——可以很好地满足从消费型适配器到汽车等各种跨行业市场的数量和质量要求。这些因素的综合使该公司能够生产具备空前可靠性、可设计性、可驱动性和可再现性的GaN FET。
Transphorm全球技术营销兼北美销售副总裁Philip Zuk表示：“在GaN的目标核心高功率市场中取得成功之后，我们还正与快速增长的半导体落后市场（如消费类适配器和机顶盒）的客户合作，因为到目前为止，我们已经交付的大多数产品都针对的是更高功率的应用。超过50万的650V FET相当于400多万低功率（低于100瓦）FET，这证明了我们的批量生产能力。”
实地可靠性
一年前，Transphorm发布了第一套完整的高压GaN功率半导体验证数据。今天，该公司正式发布了其最新的实地可靠性数据。Transphorm的GaN技术拥有逾50亿小时的实际使用时间，目前其FIT率小于2.0，PPM每年低于19.8。有关器件质量+可靠性的更多信息，请访问公司的Q+R网页。
欢迎加入GaN革命！
Transphorm设计和制造用于高压电源转换应用的具备最高效能和最高可靠性的650 V和900 V氮化镓(GaN)半导体。Transphorm拥有全球最多的IP组合（1000多项已授权和申请中的专利），生产业界唯一获得JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。这来自于在每个开发阶段进行创新的垂直整合业务方式：设计、制造、器件和应用支持。网站：https://www.transphormchina.com/en/ Twitter: @transphormusa
1 SiC & GaN功率半导体报告，IHS Markit，2019年5月
原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20191107005291/en/
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