東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）發布XK1R9F10QB，這是一款100V N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，適用於汽車的48V設備應用，例如負載開關、開關電源和馬達驅動。出貨即日啟動。
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這款新產品是東芝採用溝槽結構的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款產品，採用該公司的最新[1]一代製程製造。它採用低電阻TO-220SM(W)封裝安裝，提供業界領先的低導通電阻[2]，最大導通電阻為1.92mΩ，與當前的TK160F10N1L相比下降約20%。這一進步有助於降低設備功耗。由於電容特性得到最佳化，它還提供更低的開關雜訊，從而有助於降低設備的EMI[3]。 此外，將閾值電壓寬縮小至1V，可以增強並聯時的開關同步性。
應用場合
汽車設備（負載開關、開關電源和馬達驅動等）
特性
・採用溝槽結構的U-MOS X-H系列MOSFET
・業界領先的低導通電阻
VGS=10V時，RDS(ON)=1.92mΩ（最大值）
・符合AEC-Q101要求
主要規格
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（Ta=25°C時） |
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產品型號 |
極性 |
絕對最大額定值 |
漏源 導通電阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
溝道 到管殼的熱阻 Zth(ch-c) 最大值 (℃/W) |
封裝 |
系列 |
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漏源電壓 VDSS (V) |
漏電流 （直流） ID (A) |
漏 電流 （脈衝） IDP (A) |
溝道溫度 Tch (℃) |
VGS =6V時 |
VGS =10V時 |
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|
N溝道 |
100 |
160 |
480 |
175 |
3.31 |
1.92 |
0.4 |
TO-220SM(W) |
U-MOS X-H |
|
注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 與具有相同VDSS最大額定值和封裝等級的產品進行比較；根據東芝調查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（電磁干擾）
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東芝：用於汽車設備的新型100V N溝道功率MOSFET XK1R9F10QB。（照片：美國商業資訊）
