东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）发布“XK1R9F10QB”，这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，适用于汽车的48V设备应用，例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。
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这款新产品是东芝采用槽形结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品，采用该公司的最新[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM(W)封装安装，提供业界领先的低导通电阻[2]，最大导通电阻为1.92mΩ，与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化，它还提供更低的开关噪声，从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外，将阈值电压宽缩小至1V，可以增强并联时的开关同步性。
应用场合
汽车设备（负载开关、开关电源和电机驱动等）
特性
・采用槽形结构的U-MOS X-H系列MOSFET
・业界领先的低导通电阻
VGS=10V时，RDS(ON)=1.92mΩ（最大值）
・符合AEC-Q101要求
主要规格
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（Ta=25°C时） |
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产品型号 |
极性 |
绝对最大额定值 |
漏源 导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
沟道 到管壳的热阻 Zth(ch-c) 最大值 (℃/W) |
封装 |
系列 |
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漏源电压 VDSS (V) |
漏电流 （直流） ID (A) |
漏 电流 （脉冲） IDP (A) |
沟道温度 Tch (℃) |
VGS =6V时 |
VGS =10V时 |
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N沟道 |
100 |
160 |
480 |
175 |
3.31 |
1.92 |
0.4 |
TO-220SM(W) |
U-MOS X-H |
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注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较； 根据东芝调查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（电磁干扰）
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东芝：用于汽车设备的新型100V N沟道功率MOSFET “XK1R9F10QB”。（照片：美国商业资讯）
