加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布使用來自Microchip Technology的數位訊號處理技術來拓展其設計工具。TDTTP2500B066B-KIT是一個2.5 kW的交流轉直流無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)評估板。它是Transphorm的SuperGaN® FET與Microchip的dsPIC33CK數位訊號控制器(DSC)板的強強聯手之作，其中包括預程式設計韌體，可以輕鬆地根據終端應用需求進行客製化。這款新推出的評估板有助於更快地開發資料中心和廣泛的工業電源。
新元件 + 新功能 = 更強的開發功能
TDTTP2500B066B-KIT現貨供應，其中包含一個使用Transphorm最新的SuperGaN Gen IV元件TP65H050G4BS的子卡。TP65H050G4BS是一個採用TO-263 (D2PAK)封裝的650 V SMD SuperGaN FET，導通電阻典型值為50毫歐。
這款新推出的評估板還引進了一個先進的功能，以提升其實用性：內部採用Transphorm GaN元件的可更換子卡。因此，設計工程師還可以透過第二個選購的子卡（TDHB-65H070L-DC，需單獨購買）來評估導通電阻72毫歐的TP65H070LDG/LSG GaN元件。這張子卡是50毫歐FET卡的簡易替代元件。
與首款SuperGaN/Microchip DSC評估板(4 kW TDTTP4000W066C-KIT)一樣，這款2.5 kW評估板也可以獲得由Microchip全球技術支援團隊提供的韌體開發協助支援。
Microchip的MCU16事業部副總裁Joe Thomsen表示：「我們與Transphorm的持續合作為不斷成長的GaN電源轉換市場帶來了創新型電源電子解決方案。Microchip透過智慧整合解決方案在引領技術變革方面進行了大量投入。我們的數位訊號處理器擁有強大的性能和靈活性，是滿足採用GaN的電源轉換應用嚴苛要求的理想之選。」
Microchip的dsPIC® DSC由一套嵌入式設計工具提供支援，打造這些設計工具的目的就是增強開發人員（即便專業知識有限）的能力。這些工具可以在Microchip免費的MPLAB® X整合式開發環境中為元件初始化提供直覺的圖形化使用者介面。同時，還有一整套程式設計器、除錯工具和模擬器附件為這些軟體工具提供補充。
技術規格
Transphorm的TDTTP2500B066B-KIT中使用的DSC整合解決方案的特性如下：
- 650 V 50 mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)
- 輸入電壓：85 VAC至265 VAC，47Hz至63Hz
- 輸入電流：18 Arms；115VAC時1250 W，230 VAC時2500 kW
- 輸出電壓：390 VDC± 5 VDC（可程式設計）
- 空載時間：可程式設計
- 脈寬調變(PWM)頻率：66kHz
- 功率因數：> 0.99
這款評估板是圍繞Microchip的dsPIC33CK數位電源插入式模組(PIM)來設計的，用於控制PFC動力元件，具有以下預程式設計PIM功能：
- Microchip獲得AEC-Q100認證的dsPIC33CK256MP506數位訊號控制器
- 100 MIPS，可在注重時效性的控制應用中提供快速的確定性性能
- 雙快閃記憶體面板 - 在電源運作時，可以即時更新程式碼
- 高類比整合，從而降低物料清單(BOM)成本，盡可能精簡系統尺寸
- 250 ps解析度的PWM
Microchip網站將提供dsPIC33CK PIM的韌體更新下載。
Transphorm全球技術行銷和業務發展資深副總裁Philip Zuk表示：「我們正在透過消除設計挑戰，簡化開發，加快進入市場的速度，來確保我們的客戶可以輕鬆利用我們GaN平臺的優勢。整合Microchip先進的DSC性能對實現這項目標至關重要。現在，我們可以提供最常見的功率等級的產品，GaN可透過預程式設計韌體和可互換的GaN元件組態在兩個功率等級為客戶帶來盡可能高的價值。」
供貨情況
TDTTP2500B066B-KIT透過Digi-Key和Mouser供應。
對評估Transphorm 70毫歐FET感興趣的客戶可以按這裡訂購TDHB-65H070L-DC子卡。
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，該公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用程式支援。Transphorm的創新正在使電力電子元件突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和在微信@ Transphorm_GaN上關注我們。
SuperGaN商標是Transphorm, Inc的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。
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