加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布使用来自Microchip Technology的数字信号处理技术来拓展其设计工具。TDTTP2500B066B-KIT是一个2.5 kW的交流转直流无桥图腾柱功率因数校正(PFC)评估板。它是Transphorm的SuperGaN® FET与Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)板的强强联手之作，其中包括预编程固件，可以轻松地根据终端应用需求进行定制。这款新推出的评估板有助于更快地开发数据中心和广泛的工业电源。
新器件 + 新功能 = 更强的开发功能
TDTTP2500B066B-KIT现货供应，其中包含一个使用Transphorm最新的SuperGaN Gen IV器件TP65H050G4BS的子卡。TP65H050G4BS是一个采用TO-263 (D2PAK)封装的650 V SMD SuperGaN FET，导通电阻典型值为50毫欧。
这款新推出的评估板还引入了一个先进的功能，以提升其实用性：内部采用Transphorm GaN器件的可更换子卡。因此，设计工程师还可以通过第二个可选子卡（TDHB-65H070L-DC，需单独购买）来评估导通电阻72毫欧的TP65H070LDG/LSG GaN器件。这张子卡是50毫欧FET卡的简易替代元件。
与首款SuperGaN/Microchip DSC评估板(4 kW TDTTP4000W066C-KIT)一样，这款2.5 kW评估板也可以获得由Microchip全球技术支持团队提供的固件开发协助支持。
Microchip的MCU16事业部副总裁Joe Thomsen表示：“我们与Transphorm的持续合作为不断增长的GaN电源转换市场带来了创新型电源电子解决方案。Microchip通过智能集成解决方案在引领技术变革方面进行了大量投入。我们的数字信号处理器拥有强大的性能和灵活性，是满足基于GaN的电源转换应用苛刻要求的理想之选。”
Microchip的dsPIC® DSC由一套嵌入式设计工具提供支持，打造这些设计工具的目的就是增强开发人员（即便专业知识有限）的能力。这些工具可以在Microchip免费的MPLAB® X集成开发环境中为器件初始化提供直观的图形用户界面。同时，还有一整套编程器、调试器和仿真器附件为这些软件工具提供补充。
技术规格
Transphorm的TDTTP2500B066B-KIT中使用的DSC集成解决方案的特性如下：
- 650 V 50 mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)
- 输入电压：85 VAC至265 VAC，47Hz至63Hz
- 输入电流：18 Arms；115VAC时1250 W，230 VAC时2500 kW
- 输出电压：390 VDC± 5 VDC（可编程）
- 空载时间：可编程
- 脉宽调制(PWM)频率：66kHz
- 功率因数：> 0.99
这款评估板是围绕Microchip的dsPIC33CK数字电源插入式模块(PIM)来设计的，用于控制PFC动力元件，具有以下预编程PIM功能：
- Microchip获得AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数字信号控制器
- 100 MIPS，可在注重时效性的控制应用中提供快速的确定性性能
- 双闪存面板 - 在电源运行时，可以实时更新代码
- 高模拟集成，从而降低物料清单(BOM)成本，尽可能精简系统尺寸
- 250 ps分辨率的PWM
Microchip网站将提供dsPIC33CK PIM的固件更新下载。
Transphorm全球技术营销和业务发展高级副总裁Philip Zuk表示：“我们正在通过消除设计挑战，简化开发，加快进入市场的速度，来确保我们的客户可以轻松利用我们GaN平台的优势。整合Microchip先进的DSC性能对实现这一目标至关重要。现在，我们可以提供最常见的功率级别的产品，GaN可通过预编程固件和可互换的GaN器件配置在两个功率级上为客户带来尽可能高的价值。”
供货情况
TDTTP2500B066B-KIT通过Digi-Key和Mouser供应。
对评估Transphorm 70毫欧FET感兴趣的客户可以点击这里订购TDHB-65H070L-DC子卡。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，该公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子器件突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和在微信@ Transphorm_GaN上关注我们。
SuperGaN商标是Transphorm, Inc的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20211130005302/en/
免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
联系方式：
媒体联系人：
Heather Ailara
211 Communications
1-973-567-6040
heather@211comms.com
投资者联系人：
Shelton Group
Brett Perry | Leanne Sievers
1-214-272-0070 | 1-949-224-3874
sheltonir@sheltongroup.com
