加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，其GaN技術已用於惠普(Hewlett Packard)的USB-C PD/PPS電源配接器。這一設計案例鞏固了Transphorm氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)技術在25瓦至350瓦的中低功率配接器領域的地位。 

SuperGaN®技術的獨特之處

惠普電源配接器採用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG 650V GaN FET。該技術具備易設計性，兼具高性能和高可靠性，已成為Transphorm GaN元件的代名詞。 

此外，Transphorm最近完成了超過1000億小時的現場可靠性資料統計，失效率(FIT)率小於0.05。這些統計資料涵蓋了廣泛的功率等級，覆蓋從25瓦到3.6千瓦的任務關鍵型應用。 

此前已經證實，與較大的裸片（如175毫歐）增強型GaN元件相比，Transphorm的較小裸片（即240毫歐）SuperGaN FET在150℃時的導通電阻增加率較低(23%)，並且在50%和100%（滿載）功率下表現出更高的性能。這歸功於該技術平臺的內在優勢。 

Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：「這對Transphorm來說是一項重要的設計案例，因為客戶看到了我們對品質、可靠性以及頂尖性能的追求所帶來的好處。如今，諸如惠普這樣的頂尖客戶也在接受我們的產品。我們的GaN FET適用於各種控制器，具有現成的整合式驅動器，因此便於設計和驅動。如今，隨著我們的產品持續在低功耗和高功率領域的不同市場中得到普及，設計和驅動便利性變得越來越重要。」 

惠普配接器拆解報告見下面連結：https://www.chongdiantou.com/archives/201923.html

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。 

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