加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，其GaN技术已用于惠普的USB-C PD/PPS电源适配器。这一设计案例巩固了Transphorm氮化镓场效应晶体管(GaN FET)技术在25瓦至350瓦的中低功率适配器领域的地位。 

SuperGaN®技术的独特之处

惠普电源适配器采用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG 650V GaN FET。该技术具备易设计性，兼具高性能和高可靠性，已成为Transphorm GaN器件的代名词。 

此外，Transphorm最近完成了超过1000亿小时的现场可靠性数据统计，失效率(FIT)率小于0.05。这些统计数据涵盖了广泛的功率等级，覆盖从25瓦到3.6千瓦的任务关键型应用。 

此前已经证实，与较大的裸片（如175毫欧）增强型GaN器件相比，Transphorm的较小裸片（即240毫欧）SuperGaN FET在150℃时的导通电阻增加率较低(23%)，并且在50%和100%（满载）功率下表现出更高的性能。这得益于该技术平台的内在优势。 

Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“这对Transphorm来说是一项重要的设计案例，因为客户看到了我们对质量、可靠性以及顶级性能的追求所带来的好处。如今，诸如惠普这样的顶级客户也在接受我们的产品。我们的GaN FET适用于各种控制器，具有现成的集成式驱动器，因此便于设计和驱动。如今，随着我们的产品持续在低功耗和高功率领域的不同市场中得到普及，设计和驱动便利性变得越来越重要。” 

惠普适配器拆解报告见下面链接：https://www.chongdiantou.com/archives/201923.html

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormchina.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。 

原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20230207005433/en/

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