加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，使用來自Microchip Technology的數位訊號控制器的第三款高功率氮化鎵設計工具開始出貨。TDINV3000W050B-KIT是一款3.0瓩直流轉交流非隔離全橋逆變器評估板。這款產品是Transphorm的TP65H050G4WS SuperGaN® FET與Microchip的dsPIC33CK數位訊號控制器(DSC)板的攜手合作之作，其中包含了預先可程式化韌體，可以方便地根據終端應用需求進行客製化。新評估板的採用可突顯Transphorm氮化鎵產品的卓越性能，並使人們瞭解氮化鎵如何用於廣泛的工業和可再生能源電力系統。
與之前的兩款SuperGaN/Microchip DSC評估板（4瓩TDTTP4000W066C-KIT和2.5瓩TDTTP2500B066B-KIT）一樣，這款單相3.0瓩逆變器板也可以享受由Microchip全球技術支援團隊提供的韌體開發協助。
Microchip旗下MCU16事業部副總裁Joe Thomsen表示：「我們的dsPIC®數位訊號控制器和韌體客製化專長與Transphorm的氮化鎵技術相輔相成，能在簡化設計的同時幫助加速開發過程。我們很自豪能與Transphorm合作，打造靈活、高效率的電源轉換產品，協助廣泛的永續發展應用。」
Transphorm業務發展暨行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「電動汽車充電器、UPS和太陽能逆變器等高壓電源系統正迅速成為氮化鎵應用的快速成長市場。Transphorm的氮化鎵平臺便針對此類應用開發。與Microchip在韌體方面的合作使我們能夠以高效率的方式為各種重要的、永續的客戶電力系統專案提供支援。新產品能消除韌體程式化可能遇到的潛在限制，簡化開發工作，並加快產品上市時間。雙方的合作能夠幫助可再生能源和其他產業輕鬆利用我們的氮化鎵產品所具有的全部優勢。」
技術規格
TDINV3000W050B-KIT的技術特點：
- TP65H050G4WS：650 V 50 mΩ SuperGaN FET，TO-247封裝
- 功率效率：~99%
- 輸入電壓：0 VDC至400 VDC
- 輸出電壓：VDC / √2VRMS，50/60Hz（可程式化）
- 輸出功率：高達3000 W
- 輔助電源電壓：12 VCC
這款評估板圍繞Microchip的dsPIC33CK數位電源插入式模組(PIM)而設計，用於控制PFC動力系統，具有以下預先程式化PIM功能：
- Microchip獲得AEC-Q100認證的dsPIC33CK256MP506數位訊號控制器
- 100 MHz dsPIC® DSC核心，整合DSP和增強型晶載周邊設備
- 雙快閃記憶體面板 – 在電源運作時，可即時更新程式碼
- 高類比整合，從而降低BOM成本，實現最小的系統尺寸
- 8個獨立PWM，250 ps解析度
未來可以從Microchip網站上下載dsPIC33CK PIM的韌體更新。
Microchip的dsPIC® DSC由一套嵌入式設計工具提供支援，這些設計工具旨在增強開發人員（即便專業知識有限）的能力。這些工具可在Microchip免費的MPLAB® X整合式開發環境中為元件初始化提供直覺的圖形化使用者介面。同時，還有一整套程式設計工具、除錯器和模擬器附件為這些軟體工具提供補充。
銷售和市場應用
TDINV3000W050B-KIT透過得捷電子和貿澤電子發售。
這款評估板設計用於開發車輛到電網(V2G)充電系統、太陽能或光電(PV)逆變器、不斷電系統(UPS)以及其他高壓電源應用。
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。
SuperGaN標誌是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。
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