加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，使用来自Microchip Technology的数字信号控制器的第三款高功率氮化镓设计工具开始出货。TDINV3000W050B-KIT是一款3.0千瓦直流转交流非隔离全桥逆变器评估板。这款产品是Transphorm的TP65H050G4WS SuperGaN® FET与Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器(DSC)板的强强联手之作，其中包含了预编程固件，可以方便地根据终端应用需求进行定制。新评估板的采用可突显Transphorm氮化镓产品的卓越性能，并使人们了解氮化镓如何用于广泛的工业和可再生能源电力系统。
与之前的两款SuperGaN/Microchip DSC评估板（4千瓦TDTTP4000W066C-KIT和2.5千瓦TDTTP2500B066B-KIT）一样，这款单相3.0千瓦逆变器板也可以享受由Microchip全球技术支持团队提供的固件开发协助。
Microchip旗下MCU16事业部副总裁Joe Thomsen表示：“我们的dsPIC®数字信号控制器和固件定制专长与Transphorm的氮化镓技术相辅相成，能在简化设计的同时帮助加速开发进程。我们很自豪能与Transphorm合作，打造灵活、高效的电源转换产品，助力广泛的可持续发展应用。”
Transphorm业务发展和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“电动汽车充电器、UPS和太阳能逆变器等高压电源系统正迅速成为氮化镓应用的快速增长市场。Transphorm的氮化镓平台便针对此类应用开发。与Microchip在固件方面的合作使我们能够以高效的方式为各种重要的、可持续的客户电力系统项目提供支持。新产品能消除固件编程可能遇到的潜在限制，简化开发工作，并加快产品上市时间。双方的合作能够帮助可再生能源和其他行业轻松利用我们的氮化镓产品所具有的全部优势。”
技术规格
TDINV3000W050B-KIT的技术特点：
- TP65H050G4WS：650 V 50 mΩ SuperGaN FET，TO-247封装
- 功率效率：~99%
- 输入电压：0 VDC至400 VDC
- 输出电压：VDC / √2VRMS，50/60Hz（可编程）
- 输出功率：高达3000W
- 辅助电源电压：12 VCC
这款评估板围绕Microchip的dsPIC33CK数字电源插入式模块(PIM)而设计，用于控制PFC动力系统，具有以下预编程PIM功能：
- Microchip获得AEC-Q100认证的dsPIC33CK256MP506数字信号控制器
- 100 MHz dsPIC® DSC内核，集成DSP和增强型片上外设
- 双闪存面板 – 在电源运行时，可实时更新代码
- 高模拟集成，从而降低BOM成本，实现最小的系统尺寸
- 8个独立PWM，250 ps分辨率
未来可以从Microchip网站上下载dsPIC33CK PIM的固件更新。
Microchip的dsPIC® DSC由一套嵌入式设计工具提供支持，这些设计工具旨在增强开发人员（即便专业知识有限）的能力。这些工具可在Microchip免费的MPLAB® X集成开发环境中为器件初始化提供直观的图形用户界面。同时，还有一整套编程器、调试器和仿真器附件为这些软件工具提供补充。
销售和市场应用
TDINV3000W050B-KIT通过得捷电子和贸泽电子发售。
这款评估板设计用于开发车辆到电网(V2G)充电系统、太阳能或光伏(PV)逆变器、不间断电源(UPS)以及其他高压电源应用。
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。
SuperGaN标识是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标是其各自所有者的财产。
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