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Toshiba 2019

Toshiba推出用於工業裝置的第三代SiC MOSFET,採用四引腳封裝,可降低開關損耗

2023-09-02 10:13
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日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)推出多款用於工業裝置的碳化矽(SiC) MOSFET,稱為“TWxxxZxxxC”系列,採用可降低開關損耗的四引腳TO-247-4L(X)封裝和公司最新的[1] 第三代SiC MOSFET晶片。即日起開始批量出貨10款產品,其中5款產品的額定電壓為650V,另外5款為1200V。

本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此: https://www.businesswire.com/news/home/20230830441660/zh-HK/

這些新產品是Toshiba首次採用四引腳TO-247-4L(X)封裝的SiC MOSFET系列,支援在閘極驅動信號源端進行凱爾文連接。該封裝可降低封裝內部源線電感的影響,提升高速開關的效能。與Toshiba現有三引腳TO-247封裝產品TW045N120C相比,新TW045Z120C系列的導通損耗降低約40%,關斷損耗降低約34%[2],從而有助於降低裝置功率損耗。

使用SiC MOSFET的三相逆變器的參考設計已於線上發表。

未來Toshiba將繼續擴大產品陣容,以順應市場趨勢,並為提高裝置效率和擴大功率容量做出貢獻。

注:
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月,Toshiba測量值(測試條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)

應用

  • 開關電源(伺服器、資料中心、通訊裝置等)
  • 電動汽車充電站
  • 光電逆變器
  • 不斷電供應系統(UPS)

特性

  • 四引腳TO-247-4L(X)封裝:
    透過閘極驅動信號源端的凱爾文連接來降低開關損耗
  • 第三代SiC MOSFET
  • 低漏源導通電阻 x 柵漏電荷
  • 低二極體正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

主要規格

     

(除非另有說明,否則Ta=25°C)

部件型號

封裝

絕對最大額定值

電氣特性

樣品檢查

供貨情況

 

漏源

電壓

VDSS

(V)

 

柵源

電壓

VGSS

(V)

漏極

電流

(DC)

ID

(A)

 漏源

導通

電阻

RDS(ON)

(mΩ)

閘極

閾值

電壓

Vth

(V)

閘極

電荷

Qg

(nC)

 柵漏

電荷

Qgd

(nC)

輸入

電容

Ciss

(pF)

二極體

正向

電壓

VDSF

(V)

Tc=25°C

VGS=18V

VDS=10V

VGS=18V

VGS=18V

典型值

測試

條件

VDS

(V)

VGS=-5V

典型值

典型值

典型值

典型值

TW015Z120C

TO-247-4L(X)

1200

-10至25

100

15

3.0至5.0

158

23

6000

800

-1.35

線上購買

TW030Z120C

60

30

82

13

2925

線上購買

TW045Z120C

40

45

57

8.9

1969

線上購買

TW060Z120C

36

60

46

7.8

1530

線上購買

TW140Z120C

20

140

24

4.2

691

線上購買

TW015Z65C

650

100

15

128

19

4850

400

線上購買

TW027Z65C

58

27

65

10

2288

線上購買

TW048Z65C

40

48

41

6.2

1362

線上購買

TW083Z65C

30

83

28

3.9

873

線上購買

TW107Z65C

20

107

21

2.3

600

線上購買

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TW015Z120C
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* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是各自公司的商標。
* 本文檔中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)截至公告發佈之日是最新的,如有變更,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家首屈一指的先進半導體和儲存解決方案供應商,憑藉半個多世紀的經驗與創新優勢,為客戶和業務合作夥伴提供傑出的半導體分立元件、系統LSI和HDD產品。
公司在全球擁有21,500名員工,以促進產品價值最大化為己任,與客戶緊密合作,共同創造價值、開拓新市場。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年銷售收入近8000億日圓(61億美元),立志為全人類創造更加美好的未來。
如欲了解更多資訊,請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Toshiba:用於工業裝置的第三代SiC MOSFET,採用四引腳封裝,可降低開關損耗。(圖片:美國商業資訊)

Toshiba:用於工業裝置的第三代SiC MOSFET,採用四引腳封裝,可降低開關損耗。(圖片:美國商業資訊)

Toshiba:使用SiC MOSFET的三相逆變器的參考設計。(照片:美國商業資訊)

Toshiba:使用SiC MOSFET的三相逆變器的參考設計。(照片:美國商業資訊)

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