日本川崎--(美国商业资讯)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (Toshiba)推出多款用于工业设备的碳化硅(SiC) MOSFET，称为“TWxxxZxxxC”系列，采用可降低开关损耗的四引脚TO-247-4L(X)封装和公司最新的[1] 第三代SiC MOSFET芯片。即日起开始批量发货10款产品，其中5款产品的额定电压为650V，另外5款为1200V。
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这些新产品是Toshiba首次采用四引脚TO-247-4L(X)封装的SiC MOSFET系列，支持在栅极驱动信号源端实现开尔文连接。该封装可降低封装内部源线电感的影响，提升高速开关的性能。与Toshiba现有三引脚TO-247封装产品TW045N120C相比，新TW045Z120C系列的导通损耗降低约40%，关断损耗降低约34%[2]，从而有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计已在线发布。
未来Toshiba将继续扩大产品阵容，以顺应市场趋势，并为提高设备效率和扩大功率容量做出贡献。
注：
[1] 截至2023年8月。
[2] 截至2023年8月，Toshiba测量值（测试条件：VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C）
应用
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源(UPS)
特性
-
四引脚TO-247-4L(X)封装：
通过栅极驱动信号源端的开尔文连接来降低开关损耗 - 第三代SiC MOSFET
- 低漏源导通电阻 x 栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)
主要规格
|
（除非另有说明，否则Ta=25°C） |
||||||||||||
|
部件编号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
样品检查 及 可用性 |
||||||||
|
漏源 电压 VDSS (V) |
栅源 电压 VGSS (V) |
漏极 电流 (DC) ID (A) |
漏源 导通 电阻 RDS(ON) (mΩ) |
栅极 阈值 电压 Vth (V) |
总 栅极 电荷 Qg (nC) |
栅漏 电荷 Qgd (nC) |
输入 电容 Ciss (pF) |
二极管 正向 电压 VDSF (V) |
||||
|
Tc=25°C |
VGS=18V |
VDS=10V |
VGS=18V |
VGS=18V |
典型值 |
测试 条件 VDS (V) |
VGS=-5V |
|||||
|
典型值 |
典型值 |
典型值 |
典型值 |
|||||||||
|
TO-247-4L(X) |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
800 |
-1.35 |
||
|
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
||||||||
|
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
||||||||
|
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
||||||||
|
20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
||||||||
|
650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
400 |
||||||
|
58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
||||||||
|
40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
||||||||
|
30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
||||||||
|
20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
||||||||
访问以下链接，详细了解新产品。
TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C
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MOSFET
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TW048Z65C
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TW083Z65C
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家领先的先进半导体和存储解决方案供应商，依托半个多世纪的经验与创新优势，为客户和业务合作伙伴提供杰出的半导体分立器件、系统LSI和HDD产品。
公司在全球拥有21,500名员工，以实现产品价值最大化为己任，与客户紧密合作，共同创造价值、开拓新市场。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年销售收入近8000亿日元（61亿美元），立志为全人类创造更加美好的未来。
有关更多信息，请访问https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
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Toshiba：用于工业设备的第三代SiC MOSFET，采用四引脚封装，可降低开关损耗。（图示：美国商业资讯）
Toshiba：使用SiC MOSFET的三相逆变器的参考设计。（照片：美国商业资讯）
