加州戈利塔--(美國商業資訊)-- Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是強韌的氮化鎵(GaN)功率半導體領域的全球翹楚。該公司今天宣布推出兩款適用於電動車充電應用的新參考設計。300 W和600 W定電流/定電壓(CC/CV)電池充電器使用該公司的70毫歐和150毫歐SuperGaN®裝置，以具有競爭力的成本提供高效的交流到直流功率轉換，並具有高功率密度。這兩款參考設計旨在支援兩輪和三輪電動車充電器的大量生產，其中印度和中國的年銷售量分別超過1400萬和4500萬部。這兩款參考設計也可用於各種應用，包括快速充電、LED可調光驅動器、遊戲機和高效能筆電。

Transphorm全球銷售暨FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：「GaN在電動車市場的應用正在迅速推進。這在很大程度上是由於與碳化矽或矽等替代方案相比，該技術具有高功率密度和高成本效益、高產量的製程。具體來說，我們的SuperGaN裝置在兩輪和三輪車輛上取得顯著的進展，因為與選擇矽解決方案相比，它們具有系統和元件上的成本優勢。根據客戶一貫的設計要求，我們很高興能夠發布參考設計，幫助車載或非車載充電器製造商採用GaN系統並加快上市速度，從而提高下一代汽車的性能和整體可用性。」

CC/CV說明

定電流/定電壓(CC/CV)鋰離子電池充電法在充電初期採用定電流充電。當電池達到設定的充電水平時，在充電後期切換到定電壓充電。這可確保電池不會過充。

開放式架構CC/CV交流轉直流電池充電器

300 W和600 W的參考設計令SuperGaN場效電晶體(FET)和控制器在常見功率因數修正(PFC)和諧振LLC拓撲中相得益彰，而LLC是專為寬電池範圍（從空到充滿電）設計的。Transphorm的SuperGaN平台使電力系統開發人員能夠充分發揮PFC+LLC的性能潛力，以具有競爭力的成本從這些拓撲結構中提供最高效率。

參考設計使用純模擬控制器與需要韌體的數位控制器。這種配置具有多個好處，例如更容易設計且簡化產品開發，這源自以下因素：

• 減少開發資源需求。
• 縮短開發時間。
• 無需繁瑣的韌體程式設計/維護。

註：300 W 參考設計包括一個額外的PWM輸入埠，用於獲取低於額定輸出值的輸出電流水平，從而為所有電池化學物質提供進一步的靈活性。

主要規格如下：

參考設計運用Transphorm的SuperGaN場效電晶體，它以提供差異化優勢而聞名，例如：

• 業界領先的強韌性，具有+/- 20v閘極臨界電壓和4V抗噪力。
• 減少設備周圍所需的電路數量，因而更容易設計。
• 更易驅動，因為場效電晶體可與矽裝置常見且眾所周知的現成驅動器搭配。

存取參考設計

完整的300w和600w CC/CV電池充電器參考設計目前可從Transphorm獲取。請造訪以下連結下載技術文件、設計文件、韌體和材料清單：

• TDAIO-TPH-ON-CCCV-300W-RD：https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-on-cccv-300w-rd/

• TDAIO-TPH-MPS-CCCV-600W-RD：https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-mps-cccv-600w-rd/

為確保上述電池充電器的設計準確性，電力系統開發人員還應參考以下設計指南：

• 定電流/定電壓(CC/CV)應用於具有LLC輸出階段的電源適配器：https://www.transphormusa.com/en/document/design-guide-design-guide-11-constant-current-constant-voltage-application-for-llc/

有關設計工具中包含的SuperGaN裝置的更多資訊，請瀏覽以下連結：

• TP65H070G4PS
  650 V，72 mOhm GaN FET，採用TO-220封裝
  https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h070g4ps/

• TP65H150G4PS
  650 V，150 mOhm GaN FET，採用TO-220封裝
  https://www.transphormusa.com/en/product/tp65h150g4ps/

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵(GaN)革命的全球領導者。該公司設計和製造用於高壓功率轉換應用的高效能、高可靠性GaN半導體。Transphorm具有最大的功率GaN IP組合之一，擁有1000多項自有或獲得授權的專利。該公司生產了業界首個符合JEDEC和AEC-Q101要求的高壓GaN半導體器件。該公司的垂直整合裝置商業模式允許在每個開發階段進行創新：設計、製造、設備和應用支援等。Transphorm的創新使電力電子產品超越了矽的限制，達到超過99%的效率，使功率密度提高50%且系統成本降低20%。Transphorm總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造業務。如欲瞭解更多資訊，請造訪：www.transphormusa.com。請在Twitter @transphormasa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

SuperGaN標誌是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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