英格兰锡尔--(美国商业资讯)--世界领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一的英盛德认为，FinFET技术使用的日趋盛行将为集成电路设计商带来新的挑战，因为这些设计商希望从新构架带来的尺寸优势中受益。

工程部副总裁Kevin Steptoe解释说：“最近，在德州召开的设计自动化大会(Design Automation Conference)上，展厅中讨论FinFET技术的声音不绝于耳。同样，我们发现我们的客户——包括消费、电脑和图形行业领域的最知名企业——已在向多重栅极(multi-gate)或三栅极(tri-gate)这类技术进军。这些企业希望从这一技术中受益，因为新构架可以减小产品尺寸，并进一步提高集成度和性能。实现这一技术并不仅仅只是从一个工艺节点直接向下一个工艺节点过渡。20纳米以下的构架要求用户掌握使用新的工具；它并非只是缩小形体尺寸和使用标准元件布局技术那么简单。”

英盛德首席执行官Graham Curren补充说：“聘请像我们这类专业设计公司的主要原因之一在于，企业一般难以承担这笔花费——时间或资金——从而让其工程团队了解所有最新的设计创新。英盛德的模式就是将具体的专长融入合作当中。因此，例如，就FinFET技术而言，为了彻底了解和掌握FinFET集成电路设计，我们已经投入了大量的精力。”

关于英盛德

“成功源于合作”是英盛德的企业宗旨。该公司是全球领先的系统到芯片集成电路设计咨询公司之一。对于英盛德来说，合作意味着分享完成项目的责任，从而造福各个合作方，包括客户、设计公司、生产厂和工具及IP提供商。英盛德在高度复杂的数字、混合信号、模拟、低功耗和无线设计方面具有丰富的经验，完成了低至20纳米的多种工艺几何结构的200多种设计，所有设计都是一次性成功交付。英盛德在英国、美国、法国、意大利、以色列、瑞典、芬兰和中国设有办事处，为许多世界领先的半导体公司提供灵活的服务和方法咨询，帮助他们提高芯片性能、缩短时程和降低成本。

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