加州欧文--(美国商业资讯)--专注于为无线连接和蜂窝移动市场开发创新型下一代射频(RF)解决方案的领先无晶圆厂半导体公司RFaxis, Inc.今天宣布，该公司将为其全部纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路(RFeIC)产品线提供裸芯片(bare die)解决方案，从而使其客户能够进一步降低面向Wi-Fi和物联网(IoT)市场的无线产品的尺寸和物料清单(BOM)成本。

RFaxis已开始量产其RFeIC，该产品主要采用业界标准的方形扁平无引线(QFN)封装，尺寸从3x3mm至1.6x1.6mm不等。这些RFeIC用于一系列快速增长的无线产业，包括IEEE 802.11b/g/a/n/ac无线局域网(WLAN)、802.15.4 / ZigBee、蓝牙(Bluetooth)/低功耗蓝牙(Bluetooth Low Energy)、无线音频/视频、住宅自动化、智能能源及大量新兴的物联网应用。

这些RFeIC基于该公司获专利的单芯片/单硅片射频架构，以超低的价格提供一流的性能，为无线设备实现稳健的射频连接提供保障。

RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat表示：“通过为客户提供完整的裸芯片射频前端产品，我们已做好准备再次为无线产业重新定义射频格局。RFaxis是唯一一家提供纯CMOS射 频前端解决方案的公司，这些解决方案具有完全颠覆性的价格，而性能却丝毫不打折扣。通过使用裸芯片，我们的原始设计制造商(ODM)/原始设备制造商 (OEM)客户，尤其是我们的模组合作伙伴，将能够以较低的成本为其终端客户提供更紧凑的解决方案。”

Neshat总结道：“我们的RFeIC目标市场持续呈爆炸性增长，到2017年Wi-Fi芯片年出货量预计将超过30亿枚，而到2020年物联网市场每 年将至少需要500亿枚。一些业内专家预测，物联网传感器节点的单位成本将接近1美元左右，以使它们变得无处不在，继而使砷化镓(GaAs)或锗化硅 (SiGe)等成本高昂的半导体元件几乎得不到任何生存空间。凭借本公司研发的纯CMOS裸芯片解决方案，我们可为行业提供在尺寸、性能和成本方面均备受 青睐的终极解决方案。”

技术亮点

过去，射频前端通常包含用于增加传输距离的功率放大器(PA)、优化接收灵敏度的低噪声放大器(LNA)和天线开关等，采用的部署方式是将多个分立集成电 路拼接在一个介电基板或封装引线框架上，继而形成所谓的射频前端模组(FEM)。RFaxis则与这一传统做法大相径庭。借助其获专利的技术， RFaxis利用以行业标准的CMOS工艺制造的单个单芯片/单硅片器件，提供与竞争对手生产的传统FEM相同的功能和性能。

通过提供其裸芯片RFeIC产品，RFaxis已取得巨大突破，能够为无线产业重新定义射频前端解决方案的成本-尺寸-性能标准。RFaxis RFeIC采用极其坚固的设计，包括强大的静电放电(ESD)和高产率，确保我们的裸芯片与其它射频收发器/片上系统(SoC)顺利集成入SiP（系统级封装）或其它形式的无线模块中。以RFX1010为例，它是一种将半瓦PA、LNA和天线开关通过标准的0.18微米CMOS工艺集成在单一硅片中的sub-GHz ZigBee/ISM RFeIC，现已成为我们的一家收发器合作伙伴提供的多芯片组件(MCM)不可或缺的组成部分，并使业内的具有+27dBm发射功率的最高性能sub-GHz解决方案成为可能。RFX1010已通过水表和气量计等工业级应用所需的最严苛的认证过程。

关于RFaxis, Inc.

RFaxis, Inc.成立于2009年3月，总部设于加州欧文，专业从事射频半导体的设计和开发。凭借其专利技术，该公司引领专为数十亿美元的WLAN 802.11b/g/a/n/ac、MIMO、IoT / M2M、802.15.4 / ZigBee、蓝牙、低功耗蓝牙、ANT、6LoWPAN、AMR/AMI和无线音频/视频流市场设计的下一代无线解决方案。利用纯CMOS，结合其自身 的创新方法、专利技术和商业秘密，RFaxis开发出全球首款射频前端集成电路(RFeIC™)。欲了解详情，请访问：www.rfaxis.com。

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