东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出采用新开发的高耗散功率、小尺寸“TSOP6F”封装的新产品，扩大其面向智能手机和平板电脑等移动设备的充电电路负载开关的小型低导通电阻MOSFET产品阵容。该新系列的第一款产品——20V P型沟道单通道MOSFET “SSM6J801R”样品出货于今日启动。批量生产计划于12月底启动。
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东芝已开发出全新的2.9mm x 2.8mm小尺寸封装“TSOP6F”，以满足移动设备充电电路负载开关以及LED驱动电路对更小型器件的需求。尽管新封装拥有和现有SOT-457封装相同的封装空间和焊盘布局，但其实现了1.5W的耗散功率。
采用新型“TSOP6F”封装的小型低导通电阻MOSFET将和新的MOSFET “SSM6J801R”一起推出，同时，公司未来计划推出二合一产品，以扩大该系列。
| 产品型号 | 结构 | VDSS (V) | VGSS (V) | ID (A) | RDS(ON)典型值(mΩ) | Ciss (pF) | 样品 | 量产时间 | ||||||||||||||
| VGS=1.5V | VGS=1.8V | VGS=2.5V | VGS=4.5V | |||||||||||||||||||
| SSM6J801R | P型沟道单通道 | -20 | -8/+6 | -6 | 47 | 39 | 31 | 25 | 840 | 可以 | 2016年12月 | |||||||||||
| SSM6J808R | -40 | -20/+10 | -7 | - | - | - | 41 | 1105 | 2016年12月 | 2017年第2季度 | ||||||||||||
| SSM6K810R | N型沟道单通道 | 100 | ±20 | 3.5 | - | - | - | 65 | 430 | 2016年12月 | 2017年第2季度 | |||||||||||
| SSM6N813R | N型沟道双通道 | 100 | ±20 | 3.5 | - | - | - | 120 | 172 | 2017年4月 | 2017年第3季度 | |||||||||||
| SSM6N815R | 100 | ±20 | 2 | - | - | - | 95 | 223 | 2017年3月 | 2017年5月 | ||||||||||||
有关新产品的更多信息，请访问如下链接：
1.SSM6J801R:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/detail.SSM6J801R.html
2.东芝小尺寸低导通电阻MOSFET产品阵容：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
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关于东芝
东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域：更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务；保持生活质量的基础设施业务；以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝竭力推动全球业务，并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。
东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）
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东芝：适用于移动设备负载开关、采用高耗散功率、小尺寸封装的低导通电阻MOSFET：SSM6J801R（照片：美国商业资讯）
