加州戈拉塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，该公司将在国际功率半导体器件和集成电路研讨会(ISPSD)上展示其1200V氮化镓器件的前沿研发成果。该研讨会是功率半导体行业的一场权威的IEEE会议。
这款1200V氮化镓器件的效率高于99%，与导通电阻相似的主流碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比表现出色。在美国能源部先进研究计划署(ARPA-E)电路项目的部分资助下，Transphorm正在为电动汽车机动性和基础设施电力系统以及工业和可再生能源系统开发这一技术。与目前其他的氮化镓供应商相比，这一重要的里程碑进一步增强了Transphorm支持极广泛交叉行业应用领域广泛功率范围（从45W到超过1万kW）的能力。
5月份的ISPSD演讲将提供器件配置的详细信息，以及使用硬开关、同步升压半桥拓扑结构进行的性能分析。最初的1200V氮化镓器件采用TO-247封装，导通电阻为70毫欧，可轻松扩展到更低的电阻和更高的功率水平。早期的结果显示，其击穿电压超过1400伏，具有较低的漏电流。
Transphorm联合创始人兼首席技术官Umesh Mishra表示：“得益于Transphorm独特的垂直整合能力，我们的工程师又一次突破了氮化镓的极限。我们的目标是向市场推出可靠的超高压氮化镓产品，让客户在开发电力系统时有更多的选择。与碳化硅解决方案相比，我们的1200V碳化硅场效应晶体管将实现卓越的性能，并具有更高的可设计性和成本效益。我们认为这是氮化镓电力电子行业的一个重要里程碑。”
迄今为止，市面上的高功率氮化镓晶体管一般在600至650V之间，只有Transphorm能够提供900V氮化镓器件。Transphorm的核心产品组合包括采用众所周知的TO-XXX和PQFN封装的常闭式650V器件，是市场上所有氮化镓供应商中功率应用范围最广的产品之一，使客户能够利用氮化镓的固有优势——高功率密度、高功效、低开关损耗和较低的整体系统成本——同时使用比其他增强模式型氮化镓或碳化硅产品更容易设计和驱动的可靠器件。展示1200V场效应晶体管的性能有望扩大Transphorm的产品组合和最终的市场机会，为传统上依赖碳化硅解决方案的高要求、高性能电力系统提供支持。
美国能源部先进研究计划署(ARPA-E)技术副主任Isik Kizilyalli博士表示：“业界讨论1200V的氮化镓已经有一段时间了，但往往被认为很难以实现。作为伊利诺伊理工大学领导的ARPA-E电路项目的一部分，Transphorm团队展示了一项重要的突破，通过高效的800V开关在1200V的设备节点上展示了氮化镓的性能。”
Transphorm预计将在2023年提供1200V场效应晶体管的样品。
媒体亮相：Transphorm联合创始人兼总裁Primit Parikh将于美国东部时间2月25日星期五下午3:30做客Cheddar News节目。另外，Parikh先生于2月22日出席了TD Ameritrade Network的节目。该采访的重播可以在以下网站观看：https://tdameritradenetwork.com/video/rB4A-H8hEBKBfyOJFFsAWA.
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和在微信@Transphorm_GaN上关注我们。
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