加州戈拉塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，該公司將在國際功率半導體元件和積體電路研討會(ISPSD)上展示其1200V氮化鎵元件的尖端研發成果。該研討會是功率半導體產業的一場權威IEEE會議。
這款1200V氮化鎵元件的效率高於99%，與導通電阻相似的主流碳化矽金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)相比表現出色。在美國能源部先進研究計畫署(ARPA-E)電路專案的部分資助下，Transphorm正在為電動汽車機動性和基礎建設電力系統以及工業和可再生能源系統開發這一技術。與目前其他的氮化鎵供應商相比，這一重要的里程碑進一步增強了Transphorm支持極廣泛交叉產業應用領域廣泛功率範圍（從45W到超過1萬kW）的能力。
5月份的ISPSD演講將提供元件配置的詳細資訊，以及使用硬開關、同步升壓半橋拓撲結構進行的性能分析。最初的1200V氮化鎵元件採用TO-247封裝，導通電阻為70毫歐，可輕鬆擴展到更低的電阻和更高的功率水準。早期的結果顯示，其擊穿電壓超過1400伏，具有較低的漏電流。
Transphorm共同創辦人兼技術長Umesh Mishra表示：「歸功於Transphorm獨特的垂直整合能力，我們的工程師又一次突破了氮化鎵的極限。我們的目標是向市場推出可靠的超高壓氮化鎵產品，讓客戶在開發電力系統時有更多的選擇。與碳化矽解決方案相比，我們的1200V碳化矽場效應電晶體將實現卓越的性能，並具有更高的可設計性和成本效益。我們認為這是氮化鎵電力電子業的一個重要里程碑。」
迄今為止，市面上的高功率氮化鎵電晶體一般在600至650V之間，只有Transphorm能夠提供900V氮化鎵元件。Transphorm的核心產品組合包括採用眾所周知的TO-XXX和PQFN封裝的常閉式650V元件，是市場上所有氮化鎵供應商中功率應用範圍最廣的產品之一，使客戶能夠利用氮化鎵的固有優勢——高功率密度、高功效、低開關損耗和較低的整體系統成本——同時使用比其他增強模式型氮化鎵或碳化矽產品更容易設計和驅動的可靠元件。展示1200V場效應電晶體的性能有望擴大Transphorm的產品組合和最終的市場機會，為傳統上依賴碳化矽解決方案的高要求、高性能電力系統提供支援。
美國能源部先進研究計畫署(ARPA-E)技術副主任Isik Kizilyalli博士表示：「業界討論1200V的氮化鎵已經有一段時間了，但往往被認為很難以實現。作為伊利諾理工大學領導的ARPA-E電路專案的一部分，Transphorm團隊展示了一項重要的突破，透過高效率的800V開關在1200V的設備節點上展示了氮化鎵的性能。」
Transphorm預計將在2023年提供1200V場效應電晶體的樣品。
媒體亮相：Transphorm共同創辦人兼總裁Primit Parikh將於美國東部時間2月25日星期五下午3:30做客Cheddar News節目。另外，Parikh先生於2月22日出席了TD Ameritrade Network的節目。該採訪的重播可以在以下網站觀看：https://tdameritradenetwork.com/video/rB4A-H8hEBKBfyOJFFsAWA.
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。歸功於垂直整合的商業模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和在微信@Transphorm_GaN上關注我們。
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